公开(公告)号：CN103518296A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280013579.4

申请日：2012-03-14

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 加比·纽鲍尔 ,  阿尔弗雷德·菲提施 ,  马蒂亚斯·施里姆佩尔

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  G01N21/39 ,  G01N21/718 ,  G01N2021/399 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触表面（310）可形成为具有目标表面粗糙度，该目标表面粗糙度选择为具有基本上小于要施加至第一接触表面（310）的金属阻挡层的阻挡层厚度的最大峰谷高度。具有该阻挡层厚度的金属阻挡层可施加至第一接触表面；以及利用焊料组成物（306），通过将焊接组成物加热至小于发生金属阻挡层溶解进入焊接组成物的阈值温度，可以将半导体激光器芯片（302）沿第一接触表面（310）焊接至载体安装座。还公开了有关的系统、方法、制造的制品等等。

公开(公告)号：CN103782459B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201280040057.3

申请日：2012-08-14

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 马蒂亚斯·施里姆佩尔 ,  阿尔弗雷德·菲提施 ,  加比·纽鲍尔

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05663 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰‑谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。

公开(公告)号：CN104756330B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201380055599.2

申请日：2013-10-23

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 ,  加比·纽鲍尔 ,  马蒂亚斯·施里姆佩尔

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  B23K20/02 ,  H01S5/024

Abstract: 能够将半导体激光器芯片(302)的第一接触表面(310)形成至第一目标表面粗糙度且将负载基座(304)的第二接触表面(312)形成至第二目标表面粗糙度。能够任选地将包含第一金属的第一结合准备层(306)施加至形成的第一接触表面，且能够任选地将包含第二金属的第二结合准备层(308)施加至形成的第二接触表面。准备层两者可以由金制成，且因在压力下加热装置而产生扩散结合。能够将第一接触表面与第二接触表面接触，且无焊固定处理能够将半导体激光器芯片固定至负载基座。还对相关的系统、方法、制品等进行了说明。

公开(公告)号：CN104756330A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380055599.2

申请日：2013-10-23

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 ,  加比·纽鲍尔 ,  马蒂亚斯·施里姆佩尔

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  B23K20/02 ,  H01S5/024

Abstract: 能够将半导体激光器芯片(302)的第一接触表面(310)形成至第一目标表面粗糙度且将负载基座(304)的第二接触表面(312)形成至第二目标表面粗糙度。能够任选地将包含第一金属的第一结合准备层(306)施加至形成的第一接触表面，且能够任选地将包含第二金属的第二结合准备层(308)施加至形成的第二接触表面。准备层两者可以由金制成，且因在压力下加热装置而产生扩散结合。能够将第一接触表面与第二接触表面接触，且无焊固定处理能够将半导体激光器芯片固定至负载基座。还对相关的系统、方法、制品等进行了说明。

公开(公告)号：CN103782459A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280040057.3

申请日：2012-08-14

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 马蒂亚斯·施里姆佩尔 ,  阿尔弗雷德·菲提施 ,  加比·纽鲍尔

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05663 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰-谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。