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公开(公告)号：CN105849528B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201480061002.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 彼得·斯科特 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 彼得·多恩 , 亚当·S·谢伊姆维茨 , 黄旭弘 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 卢茨·凯勒
Abstract: 样品池(100)能够被设计成最小化过量气体体积。所描述的特征能够在减小在光谱测量期间流经所述样品池所需的气体量，以及缩短在取样事件之间冲刷所述池(100)所需的时间(例如，总气体体积)方面是有利的。在一些示例中，接触所含气体的所述样品池的内表面(202)的轮廓能够被成形、定尺度等等，以便在一个或者更多位置处在所述内表面(202)之间设置最大间隙距离(120)。还描述了系统、方法和设备等等。
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公开(公告)号：CN107923794B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680045279.2
申请日：2016-08-03
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 , 刘翔 , 凯文·卢德卢姆 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔
Abstract: 在由光谱分析系统进行的频率或波长范围扫描期间发生的频率配准偏差可以使用被动和/或主动方法来校正。被动的方法可以包括确定数学转换并将其应用于记录的现场光谱。主动方法可以包括修改光谱分析系统的一个或多个操作参数以减小频率配准偏差。
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公开(公告)号：CN107923794A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045279.2
申请日：2016-08-03
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 , 刘翔 , 凯文·卢德卢姆 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔
Abstract: 在由光谱分析系统进行的频率或波长范围扫描期间发生的频率配准偏差可以使用被动和/或主动方法来校正。被动的方法可以包括确定数学转换并将其应用于记录的现场光谱。主动方法可以包括修改光谱分析系统的一个或多个操作参数以减小频率配准偏差。
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公开(公告)号：CN104903700B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201380065067.7
申请日：2013-12-12
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 卢茨·凯勒 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 彼得·斯科特 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 内森·圣约翰
Abstract: 一种分光计池可包括间隔件、至少一个端盖以及具有反射表面的至少一个镜。端盖可被定位成接近间隔件的第一接触端以使得端盖和间隔件至少部分地封闭分光计池的内容积。镜可通过机械附接而被紧固在适当位置，所述机械附接可包括对于至少一种反应气体化合物呈化学惰性的附接材料，在高于至少120℃的温度下是热稳定的，且能够将反射表面的光轴相对于分光计池和或包括分光计池的分光计装置的其它组件保持在固定取向上。镜可选地由例如不锈钢、铜、铝、硅酸铝盐、陶瓷等材料构造而成。描述了相关方法、制品、系统等。
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公开(公告)号：CN103782459B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201280040057.3
申请日：2012-08-14
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 加比·纽鲍尔
IPC: H01S5/022 , H01S5/042 , H01L23/485
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0383 , H01L2224/04026 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05663 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/83801 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01S5/02212 , H01S5/0425 , H01L2924/04941 , H01L2924/01022 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/00
Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰‑谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104756330B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201380055599.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 , 加比·纽鲍尔 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔
Abstract: 能够将半导体激光器芯片(302)的第一接触表面(310)形成至第一目标表面粗糙度且将负载基座(304)的第二接触表面(312)形成至第二目标表面粗糙度。能够任选地将包含第一金属的第一结合准备层(306)施加至形成的第一接触表面，且能够任选地将包含第二金属的第二结合准备层(308)施加至形成的第二接触表面。准备层两者可以由金制成，且因在压力下加热装置而产生扩散结合。能够将第一接触表面与第二接触表面接触，且无焊固定处理能够将半导体激光器芯片固定至负载基座。还对相关的系统、方法、制品等进行了说明。
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公开(公告)号：CN104756330A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380055599.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 阿尔弗雷德·菲提施 , 加比·纽鲍尔 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔
Abstract: 能够将半导体激光器芯片(302)的第一接触表面(310)形成至第一目标表面粗糙度且将负载基座(304)的第二接触表面(312)形成至第二目标表面粗糙度。能够任选地将包含第一金属的第一结合准备层(306)施加至形成的第一接触表面，且能够任选地将包含第二金属的第二结合准备层(308)施加至形成的第二接触表面。准备层两者可以由金制成，且因在压力下加热装置而产生扩散结合。能够将第一接触表面与第二接触表面接触，且无焊固定处理能够将半导体激光器芯片固定至负载基座。还对相关的系统、方法、制品等进行了说明。
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公开(公告)号：CN103782459A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280040057.3
申请日：2012-08-14
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 加比·纽鲍尔
IPC: H01S5/022 , H01S5/042 , H01L23/485
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0383 , H01L2224/04026 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05663 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/83801 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01S5/02212 , H01S5/0425 , H01L2924/04941 , H01L2924/01022 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/00
Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰-谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105849528A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480061002.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 彼得·斯科特 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 彼得·多恩 , 亚当·S·谢伊姆维茨 , 黄旭弘 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 卢茨·凯勒
Abstract: 样品池(100)能够被设计成最小化过量气体体积。所描述的特征能够在减小在光谱测量期间流经所述样品池所需的气体量，以及缩短在取样事件之间冲刷所述池(100)所需的时间(例如，总气体体积)方面是有利的。在一些示例中，接触所含气体的所述样品池的内表面(202)的轮廓能够被成形、定尺度等等，以便在一个或者更多位置处在所述内表面(202)之间设置最大间隙距离(120)。还描述了系统、方法和设备等等。
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公开(公告)号：CN104903700A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380065067.7
申请日：2013-12-12
Applicant: 光谱传感器公司
Inventor： 卢茨·凯勒 , 阿尔弗雷德·菲提施 , 彼得·斯科特 , 马蒂亚斯·施里姆佩尔 , 内森·圣约翰
CPC classification number: G01N21/0303 , G01J3/42 , G01N21/031 , G01N21/09 , G01N21/3504
Abstract: 一种分光计池可包括间隔件、至少一个端盖以及具有反射表面的至少一个镜。端盖可被定位成接近间隔件的第一接触端以使得端盖和间隔件至少部分地封闭分光计池的内容积。镜可通过机械附接而被紧固在适当位置，所述机械附接可包括对于至少一种反应气体化合物呈化学惰性的附接材料，在高于至少120℃的温度下是热稳定的，且能够将反射表面的光轴相对于分光计池和或包括分光计池的分光计装置的其它组件保持在固定取向上。镜可选地由例如不锈钢、铜、铝、硅酸铝盐、陶瓷等材料构造而成。描述了相关方法、制品、系统等。
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