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公开(公告)号：CN102694101A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073046.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。
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公开(公告)号：CN101399307B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810134962.0
申请日：2008-08-07
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片型发光元件，在所述倒装芯片型发光元件中，在呈梳齿状暴露的n层11上形成n型接触电极14，在p层13的上表面的整个表面上形成由ITO制成的透光电极15，并且在透光电极15上以预定间隔形成二十个衬垫电极16。平面形式的衬垫电极16具有以交叉形式从圆形中心部分16a突出的四个分支16b，并且相邻的衬垫电极16通过分支16b而相互连接。
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公开(公告)号：CN109713102A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811245220.5
申请日：2018-10-24
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 矢羽田孝辅
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。提供了具有很难从其剥离的多层膜的半导体发光器件及其制造方法。所述发光器件具有：在第一表面上具有不平坦形状的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的第三DBR。所述发光器件是倒装芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部。所述第三DBR覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102169940B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110040295.1
申请日：2011-02-16
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。
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公开(公告)号：CN102544258A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110398032.8
申请日：2011-11-30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件，不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成，该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18)，次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出，其前端(22a)被压扁并扩展，与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104752414A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410826580.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/48
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48137 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及其简化的制造方法。发光单元包括单个基底衬底和在该单个基底衬底上的多个发光器件。发光单元包括使发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接的串联连接体。串联连接体包括：形成电流路径的发光器件；不形成电流路径的发光器件；以及将发光器件的n电极与p电极电连接的连接构件。
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公开(公告)号：CN102694101B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210073046.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极，并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构，反射膜位于等电位区域中，由此防止迁移。
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公开(公告)号：CN102024891B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010280910.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光元件。一种发光元件包括：半导体叠层结构，该半导体叠层结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；设置在半导体叠层结构上的绝缘层；第一布线，第一布线包括第一垂直导电部分和第一平面导电部分并且电连接至第一半导体层，第一垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层、发光层和第二半导体层内延伸，以及第一平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸；以及第二布线，第二布线包括第二垂直导电部分和第二平面导电部分并且电连接至第二半导体层，第二垂直导电部分在垂直方向上在绝缘层内延伸并且第二平面导电部分在平面方向上在绝缘层内延伸。
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公开(公告)号：CN101399307A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810134962.0
申请日：2008-08-07
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片型发光元件，在所述倒装芯片型发光元件中，在呈梳齿状暴露的n层11上形成n型接触电极14，在p层13的上表面的整个表面上形成由ITO制成的透光电极15，并且在透光电极15上以预定间隔形成二十个衬垫电极16。平面形式的衬垫电极16具有以交叉形式从圆形中心部分16a突出的四个分支16b，并且相邻的衬垫电极16通过分支16b而相互连接。
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公开(公告)号：CN102738338B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210086807.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件表现出沿着特定方向的高强度的光输出量以及改进的光提取性能。所述第III族氮化物半导体发光器件包括：蓝宝石衬底；和层状结构，该层状结构具有设置在所述蓝宝石衬底上并且由第III族氮化物半导体形成的发光层。在所述蓝宝石衬底的层状结构侧的表面上，以一定周期形成凸起的二维周期性结构，所述周期性结构对于从所述发光层发射出的光生成光强度干涉图案。由所述二维周期性结构反射或透射的光具有干涉图案。因此，在所述干涉图案中光强度高区域会聚的光可以被高效地输出到外部，从而导致光提取性能的改进并实现了期望的方向特性。
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