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公开(公告)号：CN102544258A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110398032.8
申请日：2011-11-30
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其在次安装基台上安装有面朝上型的发光元件，不使用引线而高位置精度地进行安装。发光装置由面朝上型的发光元件(1)和次安装基台(2)构成，该面朝上型的发光元件(1)由III族氮化物半导体构成。发光元件(1)具有贯穿孔(17、18)，次安装基台(2)具有2个棒状电极(22)。次安装基台(2)的棒状电极(22)分别插入发光元件(1)的贯穿孔(17、18)中。棒状电极(22)的前端部(22a)从发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)的表面凸出，其前端(22a)被压扁并扩展，与发光元件(1)的n焊盘电极(14)、p焊盘电极(16)连接。
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公开(公告)号：CN113385852B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011450968.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 纳普拉有限公司
Inventor： 关根重信
Abstract: 本发明提供即使是对于极高温至极低温环境的严苛的温度变动也能够维持无论在怎样的接合部界面均可抑制过剩的Sn扩散现象而克服金属间化合物的脆性的优异的接合强度及机械强度的金属粒子。通过一种金属粒子来解决上述课题，该金属粒子在包含Sn及Sn‑Cu合金的母相中具有包含Sn、Cu、Ni及Ge的金属间化合物晶体，上述金属粒子的组成为Cu：0.7～15质量％、Ni：0.1～5质量％、Ge：0.001～0.1质量％、剩余部分为Sn，上述母相的组成为Sn：95～99.9质量％、Cu：5质量％以下及不可避免的杂质：0.1质量％以下，在上述母相中包含并存在上述金属间化合物，粒径为1μm～50μm。
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公开(公告)号：CN114101967A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110709413.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 纳普拉有限公司
Inventor： 关根重信
Abstract: 本发明提供一种接合材料用合金锭，其可成为即使相对于极高温或极低温环境的严酷的温度变动也具有优异的接合强度、且具有可耐受连续振动工作状态的柔软性特性、具有优异的机械强度的接合材料。通过下述接合材料用合金锭而解决了上述课题，所述接合材料用合金锭在含有Sn及Sn‑Cu合金的母相中具有包含Sn、Cu、Ni及Ge的金属间化合物结晶，所述金属间化合物结晶的组成为Cu5～50质量％、Ni6.5～0.1质量％、Ge0.001～0.1质量％，剩余部分为Sn，所述母相的组成为Sn95～99.9质量％、Cu5质量％以下及不可避免的杂质0.1质量％以下，所述接合材料用合金锭通过使所述母相中的Sn‑Cu合金和所述金属间化合物结晶的至少一部分内延接合而形成。
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公开(公告)号：CN102237325B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110100437.9
申请日：2011-04-21
Applicant: 纳普拉有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/12535 , Y10T428/12632 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种填充时的熔融温度低、在凝固后可确保高熔点、并且作业操作性优异的填充用基材及使用了该基材的填充方法。填充用基材构成为将包含第1金属层和第2金属层的金属层设置在支撑基体的一面上而成的构造。第1金属层是由纳米金属粒子集合而成的，具有能够在比其熔点低的温度下熔融的膜厚。第2金属层是由其熔点比第1金属层的熔点低的金属粒子集合而成的。将填充用基材的一面侧重合到微细空间开口的基板的一面上。然后，对填充用基材进行加热并且加压，将金属层的熔融物填充到微细空间内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101740425B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910141802.3
申请日：2009-05-22
Applicant: 纳普拉有限公司
CPC classification number: B22D19/00 , B81B2207/07 , B81C1/00095 , H01L21/486 , H01L21/76882 , H01L2924/0002 , H05K3/101 , H05K3/4038 , H05K2201/0305 , H05K2203/025 , H05K2203/0278 , H05K2203/085 , H05K2203/128 , Y10T29/4998 , Y10T29/49982 , Y10T29/49984 , Y10T29/49988 , Y10T29/49991 , Y10T29/49993 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种向微细空间填充金属的方法，该方法包含下述工序：在对设置于支撑体上的对象物及在对象物内部存在的微细空间内的熔融金属施加用于加压的外力的状态下，使所述熔融金属冷却而固化。所述外力由选自压力机压、喷射压、碾压或气压中的至少一种方式而给予。
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公开(公告)号：CN102686021A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210016743.9
申请日：2012-01-18
Applicant: 纳普拉有限公司
IPC: H05K1/09 , H01L23/522 , H01L31/02 , H01L33/62
CPC classification number: H05K1/097 , H01L23/49866 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L31/022425 , H01L31/0682 , H01L33/62 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81395 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8359 , H01L2224/83605 , H01L2224/83609 , H01L2224/83611 , H01L2224/83613 , H01L2224/83618 , H01L2224/83624 , H01L2224/83639 , H01L2224/83644 , H01L2224/83647 , H01L2224/83655 , H01L2224/8366 , H01L2224/83666 , H01L2224/83669 , H01L2224/83701 , H01L2224/83799 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2224/83851 , H01L2224/83886 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/00011 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H05K1/111 , H05K2201/0338 , H05K2201/099 , Y02E10/547 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/8159 , H01L2924/00014 , H01L2224/81799 , H01L2924/00012 , H01L2224/81639 , H01L2224/81647 , H01L2224/81644 , H01L2224/81669 , H01L2224/81666 , H01L2224/81624 , H01L2224/81618 , H01L2224/8166 , H01L2224/81655 , H01L2224/81611 , H01L2224/81609 , H01L2224/81613 , H01L2224/81605 , H01L2224/29075
Abstract: 提供一种电子设备，具有导电性、电气化学的稳定性、耐氧化性、填充性、细致性、机械及物理强度良好，而且对基板的粘接力、粘附力高的高品质、高可靠性的金属化布线。基板(11)具备具有规定的图形的金属化布线(12)。金属化布线(12)包括金属化层(121)和绝缘层(122)。金属化层(121)包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，高熔点金属成分以及低熔点金属成分相互扩散接合。绝缘层(122)与金属化层(121)同时形成，覆盖金属化层(121)的外面。电子部件(14)与金属化布线(12)的金属化层(121)电连接。
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公开(公告)号：CN102142379A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010547493.2
申请日：2010-11-12
Applicant: 纳普拉有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/0516 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/10135 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/16146 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电子器件的制造方法，包括将多片基板对位并层叠的工序，上述多片基板分别具有多个纵导体和磁性膜；上述纵导体朝向板厚方向，相对于基板面排列分布；上述磁性膜相对于上述纵导体具有预先设定的位置关系，设在上述基板面的规定位置上；在将上述多片基板对位时，包括从外部施加磁场、使层叠而邻接的上述基板的上述磁性膜之间产生磁吸引力、通过上述磁吸引力将上述纵导体对位的工序。
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公开(公告)号：CN107086205B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710048130.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 纳普拉有限公司
Inventor： 关根重信
Abstract: 本发明提供一种即使在高的工作温度下工作也能够确保耐久性、在充分发挥半导体元件的性能方面有利的半导体装置。本发明的半导体装置包括将被基座(14)支撑的半导体元件(16)密封的密封层(20)而构成。密封层(20)由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由大量nm尺寸(1μm以下)的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒(54)和将这些绝缘性纳米微粒(54)的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅(56)构成。
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公开(公告)号：CN108364914A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201710462567.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 纳普拉有限公司
IPC: H01L23/29
CPC classification number: H01L23/06 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B32B15/01 , C01G19/00 , C22C9/00 , C22C13/00 , H01L21/56 , H01L23/02 , H01L23/29 , H01L23/3121
Abstract: 本发明提供一种耐热性优良的高可靠性和高品质的半导体封装用压片。本发明的半导体封装用压片以金属或者合金为主要材料，所述金属或者合金含有Sn或Sn合金、Cu或Cu合金，进一步含有至少2重量％的Cu与Sn的金属间化合物。
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