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公开(公告)号：CN101399307B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810134962.0
申请日：2008-08-07
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片型发光元件，在所述倒装芯片型发光元件中，在呈梳齿状暴露的n层11上形成n型接触电极14，在p层13的上表面的整个表面上形成由ITO制成的透光电极15，并且在透光电极15上以预定间隔形成二十个衬垫电极16。平面形式的衬垫电极16具有以交叉形式从圆形中心部分16a突出的四个分支16b，并且相邻的衬垫电极16通过分支16b而相互连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694112A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210076740.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。
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公开(公告)号：CN101399307A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810134962.0
申请日：2008-08-07
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片型发光元件，在所述倒装芯片型发光元件中，在呈梳齿状暴露的n层11上形成n型接触电极14，在p层13的上表面的整个表面上形成由ITO制成的透光电极15，并且在透光电极15上以预定间隔形成二十个衬垫电极16。平面形式的衬垫电极16具有以交叉形式从圆形中心部分16a突出的四个分支16b，并且相邻的衬垫电极16通过分支16b而相互连接。
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公开(公告)号：CN102694112B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210076740.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。
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公开(公告)号：CN102812566A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014812.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
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公开(公告)号：CN102812566B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201180014812.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一个问题是提高光发射效率和可靠性。为了解决该问题，在第二半导体层(108)的整个顶表面上形成透明导电膜(10)，并在该形成的透明导电膜上施加光刻胶。当移除在上表面上的与第一半导体层(104)的电极形成部分(16)相对应的光刻胶时，光刻胶被移除，使得在待移除的部分的边界处朝向移除的部分逐渐地变薄。使用剩余的光刻胶作为掩模来对透明导电膜进行湿法蚀刻，以露出第二半导体层的一部分。使用剩余的光刻胶和透明导电膜作为掩模来执行干法蚀刻，以露出第一半导体层的电极形成部分。使用剩余的光刻胶作为掩模来对在干法蚀刻中露出的透明导电层的部分进行湿法蚀刻，以清除剩余的光刻胶。
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