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公开(公告)号：CN102694085B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210080765.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/38 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。
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公开(公告)号：CN103125028B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180046381.1
申请日：2011-07-12
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜和反射膜来制造样品(A)。通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜、反射膜以及SiO2的第二绝缘膜来制造样品(B)。在两个样品(A)和样品(B)中，在热处理之前和热处理之后，在450nm的波长下测量反射膜的反射率。在600℃下进行三分钟的热处理。如图1所示，在Al具有1？至30？厚度的Al/Ag/Al中、在Al具有20？厚度的Ag/Al中以及在Al具有20？厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al中，反射率是95％或更大，其等于或高于Ag的反射率，甚至在热处理之后也是如此。
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公开(公告)号：CN102169940B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110040295.1
申请日：2011-02-16
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。
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公开(公告)号：CN102201515A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110080168.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起，而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。
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公开(公告)号：CN102569589B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110402374.2
申请日：2011-12-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 出口将士
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光元件，其包括：包括第一导电型层、第二导电型层、以及介于所述第一导电型层和所述第二导电型层之间的发光层的半导体多层结构；形成在所述第二导电型层上的第一透明电极；形成在所述第一透明电极上并且包括小于所述第一透明电极的面积的反射层；形成在所述第一透明电极上以覆盖所述反射层的第二透明电极；以及形成在所述第二透明电极上并在所述反射层上方的区域中的垫电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201515B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110080168.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起，而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。
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公开(公告)号：CN103682026A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310359009.7
申请日：2013-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。制造半导体发光元件的方法包括如下步骤：在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层；在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜；在透明导电金属氧化物膜上方形成电极；形成用于覆盖透明导电金属氧化物膜的一部分的掩模层；以及在含氧气氛中对其上形成有掩模层的透明导电金属氧化物膜进行热处理；其中，在热处理步骤中，使透明导电金属氧化物膜的未被掩模层覆盖的剩余部分的氧浓度高于透明导电金属氧化物膜的被掩模层覆盖的部分的氧浓度。
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公开(公告)号：CN102694085A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080765.1
申请日：2012-03-23
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/38 , H01L33/60 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。
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公开(公告)号：CN102386294B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110256143.5
申请日：2011-08-25
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件，其包括：半导体层状结构，该半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层以及与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，发光层和第二半导体层的一部分被去除，以暴露出第一半导体层的一部分；第一反射层，该第一反射层在半导体层状结构上并且包括开口，该开口形成在第一半导体层的被暴露的部分中；透明配线电极，该透明配线电极用于通过开口向第一半导体层或第二半导体层中注入载流子；第二反射层，该第二反射层形成于透明配线电极上并覆盖开口的一部分，以便将从发光层发射并穿过开口的光反射回第一半导体层。
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公开(公告)号：CN102694112A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210076740.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供表现出改善的光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。所述发光器件中，具有从p-型层的顶表面延伸到n-型层的深度的沟槽提供在与n-电极的布线部或p-电极的布线部重叠(平面视图中)的区域。提供绝缘膜以连续覆盖沟槽、p-型层和ITO电极的侧表面和底表面。绝缘膜中在n-电极和p-电极直接下方的区域(在蓝宝石衬底侧上)中引入反射膜。n-电极的布线部和p-电极的布线部直接下方的区域中的反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。n-电极和p-电极覆盖有额外的绝缘膜。额外的绝缘膜中在布线部直接下方区域中引入反射膜。反射膜位于比发光层的位置更低的位置处。
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