公开(公告)号：CN102169940A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110040295.1

申请日：2011-02-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  沟渊尚嗣 ,  森敬洋 ,  出口将士 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。

公开(公告)号：CN102169940B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110040295.1

申请日：2011-02-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  沟渊尚嗣 ,  森敬洋 ,  出口将士 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。

公开(公告)号：CN102693998A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110306829.0

申请日：2011-10-08

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 森敬洋

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，使其在单一基板上设置有多个发光部的半导体发光元件中，与不使用本构成的情况相比提高光取出效率。半导体发光元件具有：发光部，其在基板上具有半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层；发光部，其具有设置在基板上的与发光部分离的不同区域，且具有包括夹设在第1导电类型层与第2导电类型层之间的发光层的半导体层叠构造；内部布线层，其将发光部的第1导电类型层与发光部的第2导电类型层电连接；和反射层，其设置在发光部的发光层以及发光部的发光层中的至少任意一个发光层与内部布线层之间，反射从发光部的发光层以及发光部的发光层的至少任意一个的发光层发出的光的至少一部分。