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公开(公告)号：CN117174794A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310644954.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明涉及发光元件。第一中间层为设置于第一活性层上的半导体层，位于第一活性层与第二活性层之间。第一中间层为从第一活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。第二中间层为设置于第二活性层上的半导体层，位于第二活性层与第三活性层之间。第二中间层为从第二活性层侧起依次层叠非掺杂层、n型层而成的结构。
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公开(公告)号：CN106887503A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610812839.4
申请日：2016-09-09
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/501 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。
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公开(公告)号：CN101499415B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910005143.0
申请日：2009-02-01
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L27/12 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02609 , H01L21/02639
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M-晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R-晶面和与R-晶面垂直的A-晶面所形成的L蓝宝石-AM相交线相对于R-晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R-晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R-晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a-轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R-晶面表面；所述层的c-轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石-AM；所述层的m-轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。
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公开(公告)号：CN101339969A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810097730.2
申请日：2008-05-23
Applicant: 丰田合成株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2933/0091
Abstract: 通过向氧化钛层中加入可获得良好电导率范围内的杂质(例如，铌(Nb))改善其折射率。本发明的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件包括蓝宝石衬底、氮化铝(AlN)缓冲层、n－接触层、n－覆层、多量子阱层(发光波长：470nm)、p－覆层和p－接触层。在p－接触层上提供由氧化钛铌制成并具有浮凸的透明电极。在n－接触层上提供电极。在透明电极的一部分上提供电极垫。由于透明电极由含3％铌的氧化钛形成，其对于光(波长：470nm)的折射率变得和p－接触层几乎相同。因此，最大可能地避免p－接触层和透明电极之间界面处的全反射。此外，由于所述浮凸，光提取性能提高了30％。
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公开(公告)号：CN101276872A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810084079.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/32
Abstract: 一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106887503B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610812839.4
申请日：2016-09-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。
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公开(公告)号：CN101393958B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810211537.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/15
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物基化合物半导体发光器件。本发明提供了一种不需要外部恒流电路的GaN基半导体发光器件。本发明的发光器件包含：蓝宝石衬底；在衬底上形成的AlN缓冲层；和在缓冲层上形成的HEMT结构，该HEMT结构包含GaN层和Al0.2Ga0.8N层。在Al0.2Ga0.8N层上依次形成n-GaN层、包含InGaN阱层和AlGaN势垒层的MQW发光层以及p-GaN层。在Al0.2Ga0.8N层的露出部分上形成源电极和HEMT/LED连接电极。HEMT/LED连接电极用作相应的漏极和用于将电子注入n-GaN层中的电极。在p-GaN层的顶面上形成ITO透明电极，并且在透明电极的顶面的一部分上形成金衬垫电极。
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公开(公告)号：CN101499415A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910005143.0
申请日：2009-02-01
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L27/12 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02609 , H01L21/02639
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M－晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R－晶面和与R－晶面垂直的A－晶面所形成的L蓝宝石－AM相交线相对于R－晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R－晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R－晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a－轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R－晶面表面；所述层的c－轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石－AM；所述层的m－轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。
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公开(公告)号：CN118676275A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410298409.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成，具有：基板；设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层；设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层；设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层；设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层；设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层；从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽；设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层；设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层；第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
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公开(公告)号：CN107026224A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610821968.X
申请日：2016-09-13
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明涉及发光器件及其制造方法。本发明技术的发光器件包括：衬底；设置在衬底上的第III族氮化物半导体层；设置在第III族氮化物半导体层上的电流阻挡层；设置在第III族氮化物半导体层和电流阻挡层上的透明导电氧化物膜；覆盖透明导电氧化物膜的至少一部分和第III族氮化物半导体层的介电膜；以及设置在介电膜上的含磷光体的树脂涂层。第III族氮化物半导体层的折射率大于透明导电氧化物膜的折射率。透明导电氧化物膜的折射率大于介电膜的折射率。介电膜的折射率大于含磷光体的树脂涂层的折射率。电流阻挡层的折射率小于含磷光体的树脂涂层的折射率。
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