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公开(公告)号：CN102175705B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110059463.1
申请日：2011-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/225 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子共振的双新月对结构的化学传感系统。该化学传感系统包括：相邻的第一新月形纳米柱和第二新月形纳米柱；第一新月形纳米柱包含用于容纳探测介质的第一空腔，第二新月形纳米柱包含用于提供扫描探针的探测位置的第二空腔，第一空腔和第二空腔的开口相对。本发明提供的基于表面等离子共振的化学传感系统，由于被分为用于探测与控制的第一空腔和用于信号提取的第二空腔，实现了探测方位与信号提取方位的分离，解决了因单个新月形纳米柱的电磁场局域而限制扫描探针的可探测范围的问题。
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公开(公告)号：CN101882638B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010196135.1
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，包括：一下电极；一N型材料层，该N型材料层制作在下电极上；一第一TCO薄膜层，该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上；一第二TCO薄膜层，该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上；一P型材料层，该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上；一上图形电极，该上图形电极制作在P型材料层上。
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公开(公告)号：CN102299483A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110148041.1
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法，其中每一单元包括如下步骤：步骤1：取一有源砷化镓外延片，该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层；步骤2：在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构；步骤3：在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极；步骤4：在耦合波导结构的一侧，制备一光子晶体相位调制器；步骤5：在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧，制备一传输波导，该传输波导为一楔形；步骤6：在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔，形成空气孔阵列，完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。
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公开(公告)号：CN102255240A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110147409.2
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。
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公开(公告)号：CN102122026A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110062128.7
申请日：2011-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体表面态的二维光子晶体分束器，包括一个四方晶格光子晶体W1波导，在光子晶体W1波导的出口端两侧的光子晶体表面各含有一行半径不同的缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，并在光子晶体W1波导出口端附近有一缺陷腔；在该缺陷腔的外侧含有一列起反射作用的四方晶格光子晶体介质柱，该四方晶格光子晶体介质柱与该缺陷腔一起调节光场分布。利用本发明，解决了传统分束器面积较大、传输效率低及消光比小的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101887144A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910084035.7
申请日：2009-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构，包括纵向结构及横向结构，其中，纵向结构为一种空气桥多层结构，从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层；横向结构是一光子晶体波导，该光子晶体波导设计在纵向结构的半导体材料层上，包括正色散波导和负色散波导。本发明提供的这种消除群速度色散的慢光效应光子晶体波导结构，通过调整两个波导宽度及负色散中间缺陷孔半径来实现模式匹配及色散补偿，对接位置对波导损耗至关重要，既保证了慢光所需要的群时延，又保证了净色散尽量小，同时获得了高透过率。
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公开(公告)号：CN101867153A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910081989.2
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中，该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区，空气孔包围的环形区域为光输出区；该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，能实现相干耦合输出，提高激光器的输出功率，改善激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN102142657B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110049791.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层，形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀，在上限制层上形成周期性的条状结构，该条状结构的一部分为条状电流注入区，其余部分为光场调制区，结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄，改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN102664349A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210135204.7
申请日：2012-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种等离子体耦合模式激光器，包括：一介质材料板层；以及覆盖于该介质材料板层周边上的金属层；其中，该等离子体耦合模式激光器是在介质材料板层周边生长金属层以实现等离子体模式振荡，该等离子体振荡模式同介质材料板层内驻波模式产生耦合，用以调节耦合模式能量分布，并在单维尺度上克服衍射极限，实现激光器件小型化。利用本发明，可实现对激光器振荡模式能量以及偏振特性的调节，并可在单维上实现亚波长尺度，另一单维尺度上克服衍射极限，实现激光器件小型化和高度集成化。
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