公开(公告)号：CN101588017B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200810112207.2

申请日：2008-05-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘安金 ,  王科 ,  渠宏伟 ,  邢名欣 ,  陈微 ,  周文君

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。

公开(公告)号：CN102110595A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010595707.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  彭红玲 ,  渠宏伟 ,  马绍栋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。

公开(公告)号：CN102110595B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010595707.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  彭红玲 ,  渠宏伟 ,  马绍栋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水气；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。

公开(公告)号：CN101867153A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910081989.2

申请日：2009-04-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘安金 ,  邢名欣 ,  渠宏伟 ,  周文君 ,  陈微 ,  陈良惠

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/06 ,  H01S5/30 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中，该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区，空气孔包围的环形区域为光输出区；该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，能实现相干耦合输出，提高激光器的输出功率，改善激光器的光束质量。

公开(公告)号：CN101662123A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810118964.0

申请日：2008-08-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘安金 ,  邢名欣 ,  渠宏伟 ,  陈微 ,  周文君 ,  陈良惠

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。

公开(公告)号：CN101588017A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810112207.2

申请日：2008-05-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘安金 ,  王科 ,  渠宏伟 ,  邢名欣 ,  陈微 ,  周文君

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子晶体垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、有源层、氧化层、面刻光子晶体图形的缺陷腔结构、环形出光区的上DBR、p型盖层和上环形电极构成。其中，该光子晶体垂直腔面发射激光器的上DBR表面的光子晶体区为高损耗区和耦合区，环形区和缺陷区为光输出区域；该光子晶体垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既提高了单模输出功率，又抑制了发散角。

公开(公告)号：CN101499617A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810057178.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  刘安金 ,  任刚 ,  邢名欣 ,  渠宏伟 ,  陈良惠

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源，该单光子源由下至上依次由下电极、n型衬底、下DBR、光子晶体微腔、上DBR、p型接触层和上电极构成。其中，该单光子源的光子晶体微腔是半导体量子点光子晶体微腔，且采用二维光子晶格空气孔型光子晶体缺陷腔；该单光子源采用晶片键合技术实现光子晶体微腔和上DBR的结合；该单光子源的电极蒸镀在上DBR的p型接触层的上表面和n型衬底的下表面。利用本发明，既实现了电注入，又提高了单光子源的发射效率。