公开(公告)号：CN1421878A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01140093.5

申请日：2001-11-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  张富强 ,  杨君玲 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对上述磁性半导体材料进行热处理。

公开(公告)号：CN1134047C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN00129590.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨君玲 ,  何宏家 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英

IPC: H01L21/208 ,  H01L43/12 ,  C30B19/00

Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法，步骤如下：以砷化镓单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中x和y为原子比；在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层；在衬底上生长单层结构，或生长多层结构；生长温度范围：573K-1073K。

公开(公告)号：CN1402305A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。

公开(公告)号：CN1347138A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN00129590.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨君玲 ,  何宏家 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英

IPC: H01L21/208 ,  H01L43/12 ,  C30B19/00

Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓等单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解、混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y为原子比;根据需要可以在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层;可以在衬底上生长单层结构,也可以根据需要生长多层结构;生长温度范围:573K－1073K。

公开(公告)号：CN1174467C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。