公开(公告)号：CN1260485A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99100087.0

申请日：1999-01-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  林兰英 ,  王玉田 ,  何宏家 ,  钟兴儒

IPC: G01N23/203

Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’－a’0其中,a’0=5.431058A为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am－Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。

公开(公告)号：CN1134047C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN00129590.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨君玲 ,  何宏家 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英

IPC: H01L21/208 ,  H01L43/12 ,  C30B19/00

Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法，步骤如下：以砷化镓单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中x和y为原子比；在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层；在衬底上生长单层结构，或生长多层结构；生长温度范围：573K-1073K。

公开(公告)号：CN1347138A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN00129590.X

申请日：2000-10-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  杨君玲 ,  何宏家 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英

IPC: H01L21/208 ,  H01L43/12 ,  C30B19/00

Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓等单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解、混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y为原子比;根据需要可以在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层;可以在衬底上生长单层结构,也可以根据需要生长多层结构;生长温度范围:573K－1073K。

公开(公告)号：CN1117982C

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN99100087.0

申请日：1999-01-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  林兰英 ,  王玉田 ,  何宏家 ,  钟兴儒

IPC: G01N23/20

Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。