公开(公告)号：CN1402305A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。

公开(公告)号：CN1174467C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。