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公开(公告)号：CN1174467C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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公开(公告)号：CN1260485A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99100087.0
申请日：1999-01-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/203
Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’－a’0其中,a’0=5.431058A为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am－Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
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公开(公告)号：CN1347138A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00129590.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , H01L43/12 , C30B19/00
Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓等单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解、混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y为原子比;根据需要可以在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层;可以在衬底上生长单层结构,也可以根据需要生长多层结构;生长温度范围:573K－1073K。
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公开(公告)号：CN1117982C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN99100087.0
申请日：1999-01-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20
Abstract: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1134047C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN00129590.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/208 , H01L43/12 , C30B19/00
Abstract: 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法，步骤如下：以砷化镓单晶片为衬底；用石墨或石英制成生长容器；将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解、混合后，在过冷度下进行外延生长；生长溶液中x和y为原子比；在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层；在衬底上生长单层结构，或生长多层结构；生长温度范围：573K-1073K。
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公开(公告)号：CN1402305A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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公开(公告)号：CN2359725Y
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN98248792.4
申请日：1998-12-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G05D23/00
Abstract: 一种恒温装置,包括恒温槽、恒温液体介质、温度传感器、半导体致冷器、温度控制仪、功率转换器和转动机构;其中恒温槽为双层结构,在恒温槽中有一内槽,内槽中装有恒温液体介质,在两槽体之间装有固体保温介质;温度传感器置于恒温液体介质内,温度传感器与温度控制仪用导线连接;一功率转换器分别用导线与温度控制仪和半导体致冷器相连接,该半导体致冷器固接于内槽的外壁面上;一转动机构安装在恒温槽内槽的底部的位置。
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公开(公告)号：CN2438725Y
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00254687.6
申请日：2000-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本实用新型属于以强氧化剂和强还原剂为源生成氧化膜的外延设备。反应罩的上部有两个进气口,两个进气口分别连通气体源气路和液体源气路,在位于石英反应罩内的转台与两个进气口之间设有一块防止从气体源成液体源主路中进入的两路源气在反应室空间相遇的隔板,石英反应罩下端位于底座上,底座连通反应室腔并通过抽气管道与抽气泵相通,底座一侧还设有进样品窗口,底座上设使反应室腔内转杆转动的传动机构,两三通阀另一路相通热分解炉再相通抽气泵。
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公开(公告)号：CN2371202Y
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99205457.5
申请日：1999-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院力学研究所
IPC: C30B15/00
Abstract: 一种下开平动式直拉单晶炉,包括一炉桶、一炉底,其特征在于,一炉体支架,在该炉体支架的上面固接有一炉桶,一炉底用法兰盘与炉桶的下部连接,一液压系统与炉底连接,该液压系统通过一滚轮坐于炉体支架下面的平动滑道上;本实用新型与现有技术相比可减少炉桶的工作高度,节省单晶炉占用的场地空间;同时可使单晶炉的操作更方便灵活;其可减轻起重负载;其可减少制造直拉单晶炉的成本。
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