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公开(公告)号：CN102253323A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110159296.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种测量电子自旋相关输运的变温显微测量系统，包括：一HeNe激光器；一格兰泰勒棱镜将HeNe激光器出射的激光变成线偏振光；一光弹调制器；一显微物镜用于将入射激光聚焦在样品台面上；一变温液氮杜瓦样品座包括一温度控制仪，一紫铜冷指，待测量样品固定在紫铜冷指顶端；一数字电压电流源表其控制端通过GPIB线与一计算机连接；一取样电阻用于将待测量样品的交流电压信号提取出来；一锁相放大器其控制端通过GPIB线与一计算机连接；一半反半透镜组位于主光路上；一白光光源用以观察待测量样品台面上的位置；一摄像机和显示器用来显示输出待测量样品台面成像以及激光光斑位置；一钕铁硼环形永磁体同轴套在变温液氮杜瓦样品座的紫铜冷指外部。
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公开(公告)号：CN101471396B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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公开(公告)号：CN101581672A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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公开(公告)号：CN101452043B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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公开(公告)号：CN101581672B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101471396A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品。5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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公开(公告)号：CN101446620B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101562213B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101446620A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101562213A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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