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公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN119653782A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411678886.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H10D1/66 , H10D12/00 , H10D12/01 , H10D30/01 , H10D30/60 , H10D64/27 , H10D64/68 , H10D62/10 , H10D62/83
Abstract: 本发明提供一种抗击穿碳化硅基MOS器件及其制备方法，器件包括：碳化硅外延基片；叠栅结构，包括堆叠的第一栅极氧化物层和第二栅极氧化物层，碳化硅外延基片的第一表面上堆叠有至少两个叠栅结构，第一栅极氧化物层靠近第一表面，第二栅极氧化物层远离第一表面，第一栅极氧化物1的介电常数小于第二栅极氧化物层的介电常数；其中，至少两个叠栅结构被配置为在正负栅压偏置保护栅极氧化物电场，且降低栅极FN遂穿漏电流。
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公开(公告)号：CN119008694A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411007660.2
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种宽禁带MOSFET器件及制造方法。所述宽禁带MOSFET器件包括：碳化硅衬底、碳化硅漂移区、沟道区、源区、栅极结构、漏极以及第一保护层，碳化硅漂移区形成于碳化硅衬底的表面，沟道区及源区形成于碳化硅漂移区的表面；第一保护层包括两个倾斜结构，两个倾斜结构分别位于碳化硅漂移区的两侧；所述倾斜结构包括倾斜部和水平部，倾斜部与源区和碳化硅漂移区的侧壁相接，水平部延伸至碳化硅漂移区的底部，倾斜部相较于水平部的倾斜角度为钝角。本发明的第一保护区为斜角形态，保护区的边界更平缓、圆滑，更容易实现碳化硅漂移区内的横向耗尽，不容易被击穿，可提高器件的耐压性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101581672B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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公开(公告)号：CN119677149A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411678978.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管及方法，包括：衬底；第一n型外延层和第二n型外延层，依次层叠于衬底的第一表面，第一n型外延层和第二n型外延层中部形成有贯通的沟槽；第一p型保护层，设于沟槽中；第二p型保护层，设于第二n型外延层中沟槽两侧的第一区域，第一区域与沟槽间隔预设距离；其中，碳化硅基金属氧化物半导体场效应晶体管在施压情况下，第一n型外延层、第二n型外延层与第一p型保护层、第二p型保护层之间形成耗尽区，以阻断电压。通过引入第一p型保护层和第二P型保护层，形成双P型保护层与“柱”型屏蔽层，器件的漂移区实现了更加充分的耗尽效应，提升了耐压能力和阻断效率。
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公开(公告)号：CN101325309A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200710118870.9
申请日：2007-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行光放大器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下布拉格反射器，该下布拉格反射器制作在缓冲层上；一下垒层，该下垒层制作在下布拉格反射器上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上布拉格反射器，该上布拉格反射器制作在上垒层的上面；一电极接触层，该电极接触层制作在上布拉格反射器上，形成微腔光放大器；把微腔光放大器光刻成条状台面，并将它的两个端面刻蚀成45度倾角的斜面并镀有增透膜。
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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN101581672A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106706.0
申请日：2008-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Inventor： 肖文波 , 郑厚植 , 徐萍 , 鲁军 , 刘剑 , 李桂荣 , 谭平恒 , 赵建华 , 章昊 , 朱汇 , 甘华东 , 李蕴慧 , 朱科 , 吴昊 , 张泉 , 袁思芃 , 罗晶 , 申超 , 李科
IPC: G01N21/66
Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。
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