一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统

    公开(公告)号:CN101452043B

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200710178300.9

    申请日:2007-11-29

    Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器,把一束HeNe激光变成线偏振光,然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器,根据光学原理,偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光,圆偏振光照射样品,样品中产生自旋极化的电子;在反向电场的驱动下,铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子,但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50%的自旋极化电子,从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应;在正向电场的驱动下,半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动,受铁磁中极化电子的影响,会滤除与其自旋方向相反的注入电子。

    一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统

    公开(公告)号:CN101452043A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200710178300.9

    申请日:2007-11-29

    Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器,把一束HeNe激光变成线偏振光,然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器,根据光学原理,偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光,圆偏振光照射样品,样品中产生自旋极化的电子;在反向电场的驱动下,铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子,但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50%的自旋极化电子,从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应;在正向电场的驱动下,半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动,受铁磁中极化电子的影响,会滤除与其自旋方向相反的注入电子。

Patent Agency Ranking