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公开(公告)号：CN101882629B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910083493.9
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/66 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
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公开(公告)号：CN101916587B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910237089.2
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了一种可实现自旋动态存储的器件，该器件包括从下到上依次生长的衬底(10)、缓冲层(20)和微腔结构(30)，且该微腔结构(30)包括从下到上依次生长的下反射镜(31)、有源区(32)和上反射镜(33)，该有源区(32)是由交替生长的镓氮砷(321)和砷化镓(322)构成。本发明通过将室温下具有长弛豫时间的镓氮砷材料置入微腔中作为有源区，利用微腔具有的强耦合机制，有效放大镓氮砷材料中电子的弛豫时间，为实现自旋的动态存储以及量子计算机的实现打下坚实的基础。
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公开(公告)号：CN101562213A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101206141A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610165535.X
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J3/00 , G01J3/02 , G01J3/10 , G01J3/12 , G01J3/18 , G01J3/26 , G01J3/28 , G01S7/497 , G01S17/88 , G01S17/89 , G01S17/95
Abstract: 一种共焦显微中远红外探测器光谱响应测量系统，包括：一红外光源；一红外单色仪的输入端与红外光源的输出端相连接；一红外共焦显微系统位于红外单色仪输出光路上；一斩波限光单元位于红外共焦显微系统和三维微动平台之间，并位于红外单色仪的输出光路上；一三维微动平台位于红外单色仪的输出光路上；一样品致冷杜瓦固定在三维微动平台上；一前置放大器与样品致冷杜瓦相连接，起到对样品电信号的放大作用；一锁相放大器与前置放大器相连接；一控制计算机与锁相放大器和红外单色仪相连接，控制锁相放大器和红外单色仪实施测试过程，同时采集由锁相放大器和红外单色仪输入的数据信号。
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公开(公告)号：CN101916792B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910237780.0
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/111 , G01J1/42
Abstract: 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101916791A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910237779.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；其中谐振腔结构进一步还包括如下结构：一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上，包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层；一腔体下砷化镓层，该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体上砷化镓层生长在有源区上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层；其特征在于，下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层，上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
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公开(公告)号：CN101915657A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200910091400.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法，包括如下步骤：设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构，形成探测器样品；将设计的探测器样品生长好以后，利用光谱仪测量样品的反射谱，标出反射谱中高反带区域的各个漏模；依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序，模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱；调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度，使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致，然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数，并观察模拟反射谱中各个漏模的变化，而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化，从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
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公开(公告)号：CN101882629A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910083493.9
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/66 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
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公开(公告)号：CN101446620A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101471396B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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