公开(公告)号：CN101581672B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810106706.0

申请日：2008-05-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖文波 ,  郑厚植 ,  徐萍 ,  鲁军 ,  刘剑 ,  李桂荣 ,  谭平恒 ,  赵建华 ,  章昊 ,  朱汇 ,  甘华东 ,  李蕴慧 ,  朱科 ,  吴昊 ,  张泉 ,  袁思芃 ,  罗晶 ,  申超 ,  李科

IPC: G01N21/66

Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。

公开(公告)号：CN101581672A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810106706.0

申请日：2008-05-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 肖文波 ,  郑厚植 ,  徐萍 ,  鲁军 ,  刘剑 ,  李桂荣 ,  谭平恒 ,  赵建华 ,  章昊 ,  朱汇 ,  甘华东 ,  李蕴慧 ,  朱科 ,  吴昊 ,  张泉 ,  袁思芃 ,  罗晶 ,  申超 ,  李科

IPC: G01N21/66

Abstract: 本发明一种测量电致自旋荧光的显微测量系统，其特征在于，包括：一显微拉曼光谱仪、一宽波段线偏振片和一宽波段四分之一波片，所述的显微拉曼光谱仪、宽波段线偏振片和宽波段四分之一波片相距一预定距离，且位于同一光路上；一磁体系统；一数字电压源表，该数字电压源表与磁体系统并联；一超长工作距离显微物镜，该超长工作距离显微物镜位于宽波段四分之一波片和磁体系统之间，且在同一光路上。

公开(公告)号：CN101562213A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200810104244.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张飞 ,  郑厚植 ,  肖文波 ,  谈笑天 ,  孙晓明 ,  吴昊 ,  朱科 ,  罗晶

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/111

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。

公开(公告)号：CN101562213B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810104244.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张飞 ,  郑厚植 ,  肖文波 ,  谈笑天 ,  孙晓明 ,  吴昊 ,  朱科 ,  罗晶

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/111

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。