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公开(公告)号：CN101452043B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101446620A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101562213A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101452043A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710178300.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R33/12
Abstract: 本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
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公开(公告)号：CN101446620B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710178326.3
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流信号的响应，得出样品的动态电阻，即微分电导。因为半导体样品是非线性元器件，所以微分电导会有不同的频率响应；调节锁相的工作方式为2F，同时可以读出样品在不同直流偏置下样品电导的导数随偏压的变化关系。
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公开(公告)号：CN101562213B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810104244.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿结构，起到自旋滤波的作用；步骤4：在共振隧穿结构上生长光吸收层，用来产生自旋极化的电子；步骤5：在光吸收层上生长电子阻挡层，用来阻挡避免非自旋极化的电子；步骤6：在电子阻挡层上生长重掺杂层，用于做欧姆接触。
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