公开(公告)号：CN104917050A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510270769.X

申请日：2015-05-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩良顺 ,  梁松 ,  许俊杰 ,  乔丽君 ,  朱洪亮

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/34 ,  H01S5/06

Abstract: 一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：调整全息曝光的干涉条纹周期，在垂直上一次全息曝光的方向上，进行第二次全息曝光；步骤5：显影，并刻蚀出光栅形貌；步骤6：将一部分多量子阱和上分别限制层腐蚀掉；步骤7：在有源区的上分别限制层和无源区的下分别限制层上外延生长包层和接触层；步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导结构，在无源区的接触层上刻蚀无源波导结构；步骤9：在有源区的波导上做电极，将衬底减薄，制作背面电极，完成制备。

公开(公告)号：CN104917050B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201510270769.X

申请日：2015-05-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩良顺 ,  梁松 ,  许俊杰 ,  乔丽君 ,  朱洪亮

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/34 ,  H01S5/06

Abstract: 一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：调整全息曝光的干涉条纹周期，在垂直上一次全息曝光的方向上，进行第二次全息曝光；步骤5：显影，并刻蚀出光栅形貌；步骤6：将一部分多量子阱和上分别限制层腐蚀掉；步骤7：在有源区的上分别限制层和无源区的下分别限制层上外延生长包层和接触层；步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导结构，在无源区的接触层上刻蚀无源波导结构；步骤9：在有源区的波导上做电极，将衬底减薄，制作背面电极，完成制备。