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公开(公告)号：CN101677057A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810222336.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
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公开(公告)号：CN100495839C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610114406.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一N型GaAs衬底；多个周期的下布拉格反射镜，该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上；一有源区与多个周期的下布拉格反射镜联结；多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置；一SiO2掩膜沉积在多个周期的下布拉格反射镜的上面、有源区的部分上部和侧壁以及上布拉格反射镜的部分上部和侧壁；一P电极制作在有源区的SiO2掩膜上和暴露的有源区表面；一N电极，该N电极制作在衬底的下面。
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公开(公告)号：CN1949454A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510109332.4
申请日：2005-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/302
Abstract: 一种利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将晶片进行清洗与表面处理；b)将清洗及表面处理后的晶片固定在带有附加加热装置的键合夹具中，放入密闭石英腔体中抽真空；c)把装有键合夹具及晶片的石英腔体放入液相外延炉中加热进行键合。通过夹具上或者下半部分的单独的加热来实现不同晶片的温度差，以改变热膨胀系数不同对晶片键合的影响。
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公开(公告)号：CN1832279A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510054470.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器，包括：在该激光器出射表面镀有能形成纳米微小孔径的金属膜层，该金属膜层上具有一个亚波长量级的微小孔径，其特征在于，其中，在微小孔径中填充有高折射率的物质。
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公开(公告)号：CN100570485C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610091006.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；S03、在纳米图形转移之后，将衬底表面的光刻胶去除，采用热氧化工艺将有纳米结构的部分氧化生成SiO2；S04、取一待刻蚀的III-V族半导体衬底，将所述衬底有纳米结构的表面与III-V族半导体衬底的待刻蚀面相对，利用非平面键合技术，将两种材料粘合；S05、采用减薄工艺，将衬底减薄至仅留下已氧化为SiO2的纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101179177A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610114406.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种长波长垂直腔面发射激光器的结构，包括：一N型GaAs衬底；多个周期的下布拉格反射镜，该多个周期的下布拉格反射镜制作在衬底上；一有源区与多个周期的下布拉格反射镜联结；多个周期的上布拉格反射镜制作在有源区上的中间位置；一SiO2掩膜沉积在多个周期的下布拉格反射镜的上面、有源区的部分上部和侧壁以及上布拉格反射镜的部分上部和侧壁；一P电极制作在有源区的SiO2掩膜上和暴露的有源区表面；一N电极，该N电极制作在衬底的下面。
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公开(公告)号：CN101178368A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610114407.2
申请日：2006-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/956 , G01N21/95 , H01L21/66
Abstract: 本发明一种检测键合质量的红外透视成像装置，其特征在于，包括如下几个部分：一灯箱，该灯箱为黑色，该灯箱前端开有一出光孔；一导轨，该导轨位于灯箱上的出光孔的前端，在该导轨上依次排列有第一凸透镜、小孔光阑、第二凸透镜、样品架及红外摄像头；一监视器，该监视器通过数据线与红外摄像头连接。
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公开(公告)号：CN101101445A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610091006.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维纳米结构深刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S01、在衬底上涂覆光刻胶，采用电子束曝光或其它曝光技术在光刻胶上制作出光子晶体纳米图形；S02、将光子晶体纳米图形转移到衬底上；S03、在纳米图形转移之后，将衬底表面的光刻胶去除，采用热氧化工艺将有纳米结构的部分氧化生成SiO2；S04、取一待刻蚀的III-V族半导体衬底，将所述衬底有纳米结构的表面与III-V族半导体衬底的待刻蚀面相对，利用非平面键合技术，将两种材料粘合；S05、采用减薄工艺，将衬底减薄至仅留下已氧化为SiO2的纳米结构。
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公开(公告)号：CN101677057B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810222336.7
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
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公开(公告)号：CN100401468C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510109332.4
申请日：2005-10-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/302
Abstract: 一种键合具有不同热膨胀系数材料的晶片的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将晶片进行清洗与表面处理；b)将清洗及表面处理后的晶片固定在带有附加加热装置的键合夹具中，放入密闭石英腔体中抽真空；c)把装有键合夹具及晶片的石英腔体放入液相外延炉中加热进行键合；以及d)通过加热钼片进行加热，通过控制上下钼片的加热电流实现上下晶片对的温度差，从而在整体腔室加热的大环境中，实现对上下晶片对的变温加热。通过夹具上或者下半部分的单独的加热来实现不同晶片的温度差，以改变热膨胀系数不同对晶片键合的影响。
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