公开(公告)号：CN108110097A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810034773.X

申请日：2018-01-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  赵璐 ,  艾玉杰 ,  孙莉莉 ,  杨帅 ,  程哲 ,  张连 ,  贾利芳 ,  王军喜

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。

公开(公告)号：CN109841708B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201711217590.3

申请日：2017-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  赵璐 ,  张连

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。

公开(公告)号：CN109841708A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711217590.3

申请日：2017-11-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  赵璐 ,  张连

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。

公开(公告)号：CN207765474U

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201820059394.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  赵璐 ,  艾玉杰 ,  孙莉莉 ,  杨帅 ,  程哲 ,  张连 ,  贾利芳 ,  王军喜

IPC: H01L33/02

Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本实用新型具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利