公开(公告)号：CN109534278B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201811296447.2

申请日：2018-11-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  吕宏瑞 ,  艾玉杰

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了两种声学滤波器与高电子迁移率晶体管的异构集成结构及其制备方法，该发明解决的技术问题是减小了功放模块的尺寸，使系统小型化；同时，减小了传统分立封装技术中器件间连接引入的寄生电感和互感，提升了功率模块特性。

公开(公告)号：CN109534278A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811296447.2

申请日：2018-11-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  吕宏瑞 ,  艾玉杰

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0009 ,  B81C1/00246

Abstract: 本发明提供了两种声学滤波器与高电子迁移率晶体管的异构集成结构及其制备方法，该发明解决的技术问题是减小了功放模块的尺寸，使系统小型化；同时，减小了传统分立封装技术中器件间连接引入的寄生电感和互感，提升了功率模块特性。

公开(公告)号：CN106374032A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201611001710.1

申请日：2016-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孙莉莉 ,  张韵 ,  杨帅 ,  程哲 ,  张连 ,  吕宏瑞 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/18 ,  H01L41/39

Abstract: 一种单晶体声波器件及制备方法，属于体声波滤波器领域。其中制备方法包括：步骤A：在第一衬底上制备压电薄膜；步骤B：去除所述第一衬底；以及步骤C：在压电薄膜下制备底部电极。本发明在硅衬底上制备了高质量单晶氮化物压电薄膜，进一步制备高性能单晶体声波器件，提高了体声波器件性能。

公开(公告)号：CN109672419A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811295597.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  吕宏瑞 ,  艾玉杰

IPC: H03H3/007 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/15 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的结构及其制备方法，采用在带有空气隙的衬底上直接转移石墨烯复合结构制备底电极的方法，解决了空气隙制备中湿法腐蚀牺牲层存在的牺牲层去除不彻底的问题，简化了工艺；同时，避免了采用CMP工艺带来的成本提升和应力积累问题，简化工艺、降低成本，提升了压电薄膜外延质量。