公开(公告)号：CN120018545A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510226377.7

申请日：2025-02-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  何佳恒 ,  谢树杰

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/85 ,  H10D62/824 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23

Abstract: 本公开提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底。异质结结构层，设置于衬底的一侧。功能层，设置于异质结结构层远离衬底的一侧。源极，设置于功能层的第一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。漏极，设置于功能层的第二侧，且至少部分嵌入异质结结构层，第一侧与第二侧为相对侧。栅极，设置于功能层远离衬底的一侧。其中，异质结结构层包括沟道层，沟道层用于为二维电子气提供传输通道，功能层包括掺杂层，掺杂层用于向沟道层提供自由电子。本公开的晶体管通过设置可以提供自由电子的掺杂层，可以增加沟道层界面处的二维电子气密度，并且不影响沟道载流子迁移率，进而可以得到高频高功率的GaN基HEMT器件。

公开(公告)号：CN120018544A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510226369.2

申请日：2025-02-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  何佳恒 ,  张连

IPC: H10D30/47 ,  H10D64/23 ,  H10D62/10 ,  H10D62/85 ,  H10D62/824

Abstract: 本公开提供了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底。异质结结构层，设置于衬底的一侧。栅极，设置于异质结结构层远离衬底的一侧。源极，设置于栅极的一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。漏极，设置于栅极远离源极的一侧，且至少部分嵌入异质结结构层。其中，异质结结构层包括沟道层，沟道层用于为二维电子气提供传输通道，源极与沟道层相接触的界面两侧的材料不同，且源极所在侧的材料的禁带宽度高于沟道层所在侧的材料的禁带宽度。本公开的晶体管通过在源极与沟道层相接触的界面的两侧设置不同的材料，且源极侧材料的禁带宽度大于沟道层侧材料的禁带宽度，存在一个导带带阶，可以为源极的电子提供额外的动能，实现对源极注入电子的加速。

公开(公告)号：CN117936577A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410070130.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张韵 ,  谢树杰 ,  刘喆 ,  张连 ,  何佳恒 ,  程哲

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L23/31 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开提供了一种具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法，该GaN HEMT器件包括：衬底层(1)；缓冲层(2)，生长于衬底层(1)的上表面；异质结结构层(3)，生长于缓冲层(2)的上表面，异质结结构层(3)的上表面的边缘处设有对称的两个外延槽；接触电阻结构层(4)，生长于外延槽内，其厚度大于外延槽的深度，自下而上依次包括材料层(41)、钝化层(42)及源漏金属层(43)；栅极金属层(5)，生长于异质结结构层(3)的上表面，以及位于接触电阻结构层(4)之间。本公开可以减少材料层(41)中的金属诱导带隙中间态密度，并钝化界面处的悬挂键，减轻界面态对于费米能级的钉扎效应，从而降低欧姆接触电阻，实现具有低欧姆接触电阻的GaN基HEMT。