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公开(公告)号：CN109560785A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109560784B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN108110097A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810034773.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。
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公开(公告)号：CN109560784A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107634734A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710893349.6
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法，其中声表面波谐振器自下而上包括：衬底层、叉指电极及单晶氮化物薄膜层，还包括介于叉指电极和单晶氮化物薄膜层之间的AlN成核层；该AlN成核层覆盖于叉指电极的上表面、侧面及叉指电极中各电极单元之间的间隔区域，该AlN成核层的边缘与衬底层的边缘平齐；单晶氮化物薄膜层的上表面与水平面平行。因此，本发明的谐振器结构，在叉指电极与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖叉指电极的AlN成核层，一方面消除了叉指电极在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题；另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物声表面波谐振器及滤波器奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106374032A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611001710.1
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单晶体声波器件及制备方法，属于体声波滤波器领域。其中制备方法包括：步骤A：在第一衬底上制备压电薄膜；步骤B：去除所述第一衬底；以及步骤C：在压电薄膜下制备底部电极。本发明在硅衬底上制备了高质量单晶氮化物压电薄膜，进一步制备高性能单晶体声波器件，提高了体声波器件性能。
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公开(公告)号：CN109560785B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN107437930B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710530035.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种体声波谐振器底电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上依次放置支撑材料和障板；其中，支撑材料和障板的边缘均与衬底的边缘平齐；中心分别具有一支撑材料通孔和障板通孔，且障板通孔的宽度小于支撑材料通孔的宽度；步骤2、在障板表面和障板通孔对应的衬底表面制备金属层；步骤3、移除支撑材料、障板及障板表面的金属层，剩余的金属层为体声波谐振器的底电极。以及一种体声波谐振器的制备方法，还包括：在底电极上生长压电材料；在压电材料上制备顶电极。通过采用障板来制备体声波器件的底电极，无需采用干法刻蚀等方法，因此制备的金属底电极的金属侧壁光滑，完全克服了传统刻蚀工艺引起的金属侧壁粗糙的问题。
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公开(公告)号：CN107437930A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710530035.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种体声波谐振器底电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上依次放置支撑材料和障板；其中，支撑材料和障板的边缘均与衬底的边缘平齐；中心分别具有一支撑材料通孔和障板通孔，且障板通孔的宽度小于支撑材料通孔的宽度；步骤2、在障板表面和障板通孔对应的衬底表面制备金属层；步骤3、移除支撑材料、障板及障板表面的金属层，剩余的金属层为体声波谐振器的底电极。以及一种体声波谐振器的制备方法，还包括：在底电极上生长压电材料；在压电材料上制备顶电极。通过采用障板来制备体声波器件的底电极，无需采用干法刻蚀等方法，因此制备的金属底电极的金属侧壁光滑，完全克服了传统刻蚀工艺引起的金属侧壁粗糙的问题。
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公开(公告)号：CN207765474U
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201820059394.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02
Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本实用新型具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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