公开(公告)号：CN102623523A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210086429.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾亚楠 ,  徐波 ,  孔金霞 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上；一组分渐变AlGaAs层制作在3～10周期点-阱结构上；一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上；一GaAs顶接触层制作在3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上；一上电极制作在GaAs顶接触层上，收集并输出光电流信号；一下电极制作在GaAs底接触层台面上，与上电极一起给探测器加偏压。

公开(公告)号：CN102623523B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210086429.8

申请日：2012-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 贾亚楠 ,  徐波 ,  孔金霞 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上；一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上；一组分渐变AlGaAs层制作在3～10周期点-阱结构上；一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上；一3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上；一GaAs顶接触层制作在3～10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上；一上电极制作在GaAs顶接触层上，收集并输出光电流信号；一下电极制作在GaAs底接触层台面上，与上电极一起给探测器加偏压。