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公开(公告)号：CN102071404B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910241547.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光纤侧圆柱面镀膜旋转装置，包括：一平圆盘，该平圆盘的中心固定一中心轴；一公转件，该公转件为一筒状，套置于平圆盘的中心轴上，该公转件靠近平圆盘的一端横置有多个水平支杆，所述水平支杆的端部枢接有自转件，该自转件与平圆盘的表面摩擦接触；上述部件置于一镀膜室中，在镀膜室中还放置有坩锅，其中每个自转件与待镀光纤连接，当所述公转件转动时带动与平圆盘表面摩擦接触的自转件转动。
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公开(公告)号：CN102747319A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210224138.0
申请日：2012-06-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供了一种柔性掩模板的制备方法，包括：在衬底上生长SiO2层；在SiO2层上沉积聚合物层；在聚合物层上形成镂空掩模图形；将包含形成镂空掩模图形的聚合物层的衬底浸入氢氟酸与氟化氨的混合溶液，SiO2层与该混合溶液反应，使形成镂空掩模图形的聚合物层从衬底上剥离下来，形成柔性掩模板。本发明的方法对掩模板无损伤，且简单易行。
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公开(公告)号：CN102071404A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910241547.X
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光纤侧圆柱面镀膜旋转装置，包括：一平圆盘，该平圆盘的中心固定一中心轴；一公转件，该公转件为一筒状，套置于平圆盘的中心轴上，该公转件靠近平圆盘的一端横置有多个水平支杆，所述水平支杆的端部枢接有自转件，该自转件与平圆盘的表面摩擦接触；上述部件置于一镀膜室中，在镀膜室中还放置有坩锅，其中每个自转件与待镀光纤连接，当所述公转件转动时带动与平圆盘表面摩擦接触的自转件转动。
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公开(公告)号：CN110277733A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810212303.8
申请日：2018-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备。本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。
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公开(公告)号：CN103474873A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403566.4
申请日：2013-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种窄脉宽的大功率半导体激光器驱动电路，该半导体激光器驱动电路包括脉冲控制电路、驱动电路、高压端、低压端、TTL信号端和接地端，其中，脉冲控制电路同时连接于驱动电路、低压端、TTL信号端和接地端，驱动电路同时连接于高压端、脉冲控制电路和接地端。利用本发明，可以实现上升沿5ns、脉宽11ns、重复频率1Hz-50KHz可调节的脉冲光信号，同时能提供较大的驱动电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163804A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110064481.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：一衬底；一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层，该P型限制层制作在P型波导层上。
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公开(公告)号：CN117477350A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311428677.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种半导体激光器，包括：衬底；N型电极，设置于衬底的第一表面上；N型限制层，设置于衬底的第二表面上；N型波导层，设置于N型限制层上；有源层，设置于N型波导层上；P型波导层，设置于有源层上；P型限制层，设置于P型波导层上，P型限制层上形成有间隔设置的四个凹陷区域，相邻的两个凹陷区域中间为脊波导；P型欧姆接触层，形成于脊波导上；P型电极，形成于P型欧姆接触层上以及凹陷区域上；其中，脊波导与设置于脊波导上的P型欧姆接触层形成脊型结构，位于两端的脊型结构上形成有间隔排列的孔洞，在孔洞中填充有填充层。本发明的半导体激光器能够使得激光的高阶模式损耗掉，进而输出功率较大的基模激光。
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公开(公告)号：CN105628984A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610181719.9
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R1/04
CPC classification number: G01R1/0425
Abstract: 一种用于单管芯激光二极管的测试老化夹具，包括：一水座，其上表面有一个定位凹槽，该水座两端开有入水口和出水口；一底座，其上有施压片，施压片的一端有两个施压杆；一施压模块，其主体呈U形结构，施压模块主要由两部分组成，施压杆和固定杆，固定杆主体为U型结构，其上有操作杆和固定孔，施压杆由定位杆、横轴、横梁、压力作用杆、操作杆组成，定位杆通过底部的固定孔固定在水座上，定位杆上端开有通孔，用于支撑横轴，横轴用于支撑施压杆的横梁，横梁另一端开一U型槽，用于放置固定杆，横梁中部有一固定孔，用于放置压力作用杆，压力作用杆呈上端细，下端粗，细杆上固定一弹簧，弹簧的作用是施加压力时施压横梁可以下移到设定位置。
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公开(公告)号：CN117498153A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311458410.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单模半导体激光器，包括：N面电极；衬底，形成在N面电极上；叠层结构，形成在衬底上，叠层结构自下而上依次包括缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层；P型限制层，形成在叠层结构上，P型限制层包括第一部分和从第一部分远离叠层结构突出并形成台面的第二部分，第二部分包括电极区和位于电极区两侧的光模式选择区，光模式选择区包括多个微结构，多个微结构被构造成使得光模式选择区抑制高阶模的输出，以输出单模；电极区与光模式选择区之间设置有电流隔离沟槽；P型欧姆接触层，形成在P型限制层的电极区上；P面电极，形成在P型欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN104682189B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510075853.6
申请日：2015-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度半导体激光器热沉，包括：进水热沉，为一具有上窄下宽横截面的柱状结构，柱体厚度大于列阵条长度(标准10mm)，较窄的上表面用于焊接高密度封住的半导体激光器列阵条叠层。其一侧面开有入水孔，入水孔四周开有凹槽；所述入水孔将水道引入所述进水热沉后，水道方向变为垂直向上的水道，并延伸至接近进水热沉上表面的位置，之后变为水平方向的第一梳状导流齿水道；中间热沉，在与所述进入热沉的第一梳状导流齿水道相应的部位开有贯通于中间热沉两侧面的第二梳状导流齿水道，第二梳状导流齿水道两端外侧开有凹槽；出水热沉，另一侧面开有水平螺纹出水孔，所述出水孔和梳状导流齿水道之间通过一段垂直直通水道连通。
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