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公开(公告)号：CN113764968B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111046426.7
申请日：2021-09-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键合外延片进行腐蚀，直至暴露所述外延层，得到暴露外延层的键合外延片；以及对暴露外延层的键合外延片进行解键合，分离外延层和临时牺牲片。本发明能够将大功率半导体发光器件的衬底完全去除，降低器件热耗散，提高散热能力，从而增大器件输出功率和功率转换效率。
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公开(公告)号：CN114765341A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110045443.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN104166020B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410426177.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种适用于激光二极管的测试老化夹具，包括：水座；底座，其固定在所述水座上，一端固定激光二极管；另一端具有两个引线孔；绝缘块，固定在所述底座上表面的中部；负极引线片，其第一端与激光二极管的负极连接，第二端将激光二极管的负极引出；压块，为凹形柱体，置于激光二极管上表面，包括滚花控制杆和两定位杆；控制块，其上开设有对称分布在控制块两端的两个第一螺孔、中心部位的第二螺孔，以及位于两个第一螺孔两侧的两个通孔，所述两个第一螺孔用于固定支撑杆，所述第二螺孔用于旋拧滚花控制杆，所述两通孔用于固定定位杆；支撑杆，其一端固定在控制块上，另一端固定在底座上，用于支撑压块。
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公开(公告)号：CN101888056B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910084036.1
申请日：2009-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。
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公开(公告)号：CN102074879A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910241545.0
申请日：2009-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种固体激光器用YAG棒的固定方法，包括如下步骤：在一矩形的YAG棒热沉的一表面纵向开有一上圆弧凹槽；在矩形的YAG棒热沉的上圆弧凹槽的两边错开纵向开有多个细孔；将YAG棒居中放在YAG棒热沉的上圆弧凹槽里；用不锈钢丝依次穿过YAG棒无氧铜热沉上圆弧凹槽两边的细孔，将YAG棒固定在YAG棒无氧铜热沉上；在半导体激光二极管热沉的一表面纵向开有一与YAG棒热沉的上圆弧凹槽对应的下圆弧凹槽；将半导体激光二极管阵列封装在半导体激光二极管热沉上的下圆弧凹槽内；将固定有YAG棒的热沉扣置于半导体激光二极管热沉的下圆弧凹槽上，并将半导体激光二极管热沉和YAG棒热沉固定；在固定好的半导体激光二极管热沉和YAG棒热沉的两端加上前后腔镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114389152B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210038635.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的外延生长方法，包括：制备外延片，其中，外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；依次对上限制层和欧姆接触层进行部分刻蚀，露出上波导层的上表面；在露出上波导层的上表面上外延生长掺杂材料层，得到外延生长后的外延片；对外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，预处理用于形成非吸收窗口；对预处理后的外延片进行刻蚀，刻蚀掉掺杂材料层，再次露出上波导层的上表面；在再次露出上波导层的上表面上再次依次外延生长上限制层和欧姆接触层；其中，外延生长方法发生在同一反应腔室内。
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公开(公告)号：CN114498285A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210083666.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器，包括：过渡热沉；散热结构，设置于过渡热沉的上表面，散热结构的横截面为梯形，梯形的下底与过渡热沉的上表面相接触；半导体激光器管芯，包括有源区，半导体激光器管芯设置于散热结构的上表面，半导体激光器管芯的下表面的尺寸和散热结构的下表面的尺寸相同；有源区的下表面的尺寸和散热结构的上表面的尺寸相同，有源区与散热结构的上表面对齐。将散热结构的横截面设置为梯形，起到促进半导体激光器工作时中心区域散热及抑制两侧散热的作用，进而增加半导体激光器管芯内部温度分布均匀性，抑制热透镜效应影响，提高光束质量，提升半导体激光器光电性能、可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN114038742A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111311772.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/225 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器，其制备方法包括：提供衬底。在衬底上形成包括未混杂的有源区的外延层。在外延层上的部分区域形成至少一层混杂层，用于提供目标离子。在混杂层和外延层上的裸露区域上形成抑制层，以抑制未被混杂层覆盖的外延层中的离子扩散挥发而产生缺陷。通过热退火工艺将混杂层的目标离子扩散到未混杂的有源区内，形成混杂的有源区。去除外延层上的混杂层以及抑制层。采用以上技术方案能够有效提高有源区的混杂效率，进而使激光器获得更好的蓝移效果，并能够有效降低目标离子扩散进入不需要混杂的各层的含量，从而降低激光器的缺陷，进而提高激光器的性能。
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公开(公告)号：CN113206448A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110487707.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有电流阻挡层的激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构包括：衬底，自衬底至上依次包括缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层和欧姆接触层；腐蚀截至层，设置于所述欧姆接触层上；电流阻挡层，设置于所述腐蚀截至层上。
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公开(公告)号：CN105428995A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511006109.7
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/022 , H01S5/02248 , H01S5/024 , H01S5/02453
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器列阵烧结装置，所述烧结装置包括：主体，由基板、盖板和压条依次固定在底座上形成；盖板，形成有U型槽；压条，固定于U型槽开口一端的上方；顶块，与底座一侧轴连，可在平放和立放两个状态中转换；夹块，限制在U型槽内；主体的两侧形成两个弹簧拉升通道；底座侧面设有限位槽，限位槽中安设有弹簧固定螺钉；两条弹簧分别卡设在弹簧拉升通道内，一端固定在顶块的侧面上，另一端固定在弹簧固定螺钉上。本发明还公开了一种利用所述烧结装置对半导体激光器列阵进行烧结的方法。本发明结构紧凑，尺寸可以设计的很小，便于在不同烧结设备中使用；操作使用简单，且可根据需求放置多个激光器，烧结效率高，便于产业化。
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