公开(公告)号：CN106898640A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710091485.3

申请日：2017-02-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马平 ,  姬小利 ,  李喜林 ,  刘波亭 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟槽内填充有高介电常数、宽带隙的电解质材料，在沟槽上方制备栅极；源极、漏极和栅极之间为钝化层，完成晶体管的制作。

公开(公告)号：CN108110048A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711371959.6

申请日：2017-12-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李晋闽 ,  谭晓宇 ,  姬小利 ,  马平 ,  李喜林 ,  魏同波

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性，以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子，同时以较低浓度的C补偿剩余的n型背景载流子或中和过补偿的p型载流子，从而获得高晶体质量的高阻III族氮化物外延层。本公开的高阻III族氮化物半导体外延结构在降低杂质掺入浓度、提高氮化物晶体质量的同时，降低了外延材料的漏电流、提高了外延材料的击穿电压。

公开(公告)号：CN107393956A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710548788.3

申请日：2017-07-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李喜林 ,  马平 ,  刘波亭 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/15 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法。其中，包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，形成于衬底之上；缓冲层，形成于成核层之上；沟道层，形成于缓冲层之上；势垒层，形成于沟道层之上；以及P型超晶格，形成于势垒层之上。通过在势垒层上生长P型超晶格结构，从而提高空穴浓度，耗尽沟道中的二维电子气，获得增强型高电子迁移率晶体管，且将栅极区域以外极化掺杂的P型超晶格层去除，保留这些区域的二维电子气，可以保证器件有很低的通态电阻，制备工艺简单，有利于器件的工业化生产。