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公开(公告)号：CN110190511B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910454743.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。
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公开(公告)号：CN106252403A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610753069.0
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66409
Abstract: 本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(70)。将低温GaN缓冲层退火后生长未掺杂GaN高阻层以及AlN隔离层，与掺碳或掺铁等相比，能有效改善结晶质量并避免掺铁等带来的记忆效应；此外该结构具有多沟道结构，即AlN势垒层和未掺杂GaN沟道层分别与Al组分阶梯变化的势垒层在界面处形成了两个主沟道，和Al组分阶梯变化的势垒层界面处形成了多个辅沟道，与传统HEMT器件相比增强了其电流驱动能力；本发明设计的HEMT外延结构栅漏电流和缓冲层漏电流小，电流驱动能力强，可用于大功率电力电子器件领域。此外本发明还提供了一种HEMT外延结构的制备方法。(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108110048A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711371959.6
申请日：2017-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性，以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子，同时以较低浓度的C补偿剩余的n型背景载流子或中和过补偿的p型载流子，从而获得高晶体质量的高阻III族氮化物外延层。本公开的高阻III族氮化物半导体外延结构在降低杂质掺入浓度、提高氮化物晶体质量的同时，降低了外延材料的漏电流、提高了外延材料的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110970513B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811153822.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种MSM型多孔氧化镓日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层；在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n‑GaN外延层，对多孔结构的n‑GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化镓外延层；MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化镓外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n‑GaN制备多孔氧化镓日盲探测器能够显著增大氧化镓薄膜的比表面积，使更多的氧分子在多孔氧化镓的表面发生吸附和解吸附，从而大幅度提高氧化镓探测器的紫外探测性能。
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公开(公告)号：CN110190511A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910454743.9
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/187 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1-x)N层和多孔AlyGa1-yN层。本发明还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1-x)N薄膜和AlyGa1-yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。
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公开(公告)号：CN106252403B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610753069.0
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将低温GaN缓冲层退火后生长未掺杂GaN高阻层以及AlN隔离层，与掺碳或掺铁等相比，能有效改善结晶质量并避免掺铁等带来的记忆效应；此外该结构具有多沟道结构，即AlN势垒层和未掺杂GaN沟道层分别与Al组分阶梯变化的势垒层在界面处形成了两个主沟道，和Al组分阶梯变化的势垒层界面处形成了多个辅沟道，与传统HEMT器件相比增强了其电流驱动能力；本发明设计的HEMT外延结构栅漏电流和缓冲层漏电流小，电流驱动能力强，可用于大功率电力电子器件领域。此外本发明还提供了一种HEMT外延结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN110970513A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811153822.8
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u-GaN外延层和u-GaN外延层上的n-GaN外延层；在n-GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到多孔结构的n-GaN外延层，对多孔结构的n-GaN外延层进行氧化处理得到多孔结构的氧化嫁外延层；MSM电极蒸镀在多孔结构的氧化嫁外延层表面。本公开通过热氧化法氧化多孔结构的n-GaN制备多孔氧化嫁日盲探测器能够显著增大氧化嫁薄膜的比表面积，使更多的氧分子在多孔氧化嫁的表面发生吸附和解吸附，从而大幅度提高氧化嫁探测器的紫外探测性能。
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