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公开(公告)号：CN103668448A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310590963.7
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm2/Vs，载流子浓度可以达到2×1018cm-3，为典型的p型材料。而相同条件下不进行金掺杂的迁移率为6.42E+04cm2/Vs，载流子浓度为3×1015cm-3，为典型的n型材料。因此，该方法金掺杂的激活率非常高。本方法可以提高掺杂型长波p材料电学参数的稳定性，同时该掺杂在低成本的气相外延设备里即可以实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101170142A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710170717.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型铟镓砷红外焦平面器件，包括：在外延片上通过Zn扩散形成平面型pn结，其特征是：在Zn扩散区域上方周围有一加厚Cr/Au环形电极，通过Au层对入射光的反射来实现光敏元区的限定。由于加厚电极的形状由光刻图形决定，所以有效光敏元的面积可以得到精确控制。器件制备方法的特征是：在热处理前先生长SiO2钝化膜来阻止Zn在热处理过程中的向外扩散，增强了pn结的热稳定性，而且通过控制SiO2膜的厚度实现了对器件表面的钝化以及对光的增透。p电极采用单层Au层，简化了p电极生长工艺，这对工艺的稳定性以及器件的均匀性都有重要的意义，Au与InP粘附性较好，而且，通过SiO2层保护下的热退火过程，可以实现与Au/Zn/Au良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102181922B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN102181922A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110063540.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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公开(公告)号：CN102729132A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211627.2
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种无蜡研磨精抛碲锌镉晶片的方法，在常规前道工艺中，晶体锭条经内圆切割以后形成一定厚度的晶片，然后经过热蜡贴片工艺进行研磨和精抛。但蜡的引入很难去除干净，在后继的外延工艺中会引入污染。即使经过热三氯乙烯沸腾热浴也未必能将蜡去除干净。不贴片、批量研磨、抛光可以有效提高研磨效率和研磨质量，减少蜡污染，本工艺可以控制住研磨参数，如：晶片厚度、研磨时间、转速、上下盘压力、游行片开孔大小、研磨剂用量以及研磨颗粒大小等。CdZnTe晶片无蜡研磨、抛光工艺成熟之后，在此衬底上进行HgCdTe外延薄膜的生长其晶体质量，结构会有进一步提高，对其电学参数的优化也有重要意义。
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公开(公告)号：CN202054924U
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201120069711.6
申请日：2011-03-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/08
Abstract: 本实用新型公开了一种用于等温气相外延工艺的晶体生长容器，该容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。
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