公开(公告)号：CN114875370A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210209576.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 赵娇玲 ,  朱美萍 ,  张嘉怡 ,  武振清 ,  易葵 ,  王虎 ,  曾婷婷 ,  李笑然 ,  贺洪波 ,  邵建达

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于低表面能材料共溅射降低短波长多层膜界面宽度的方法，利用超高真空磁控溅射交替沉积纳米精度(AxM1‑x/B)^n多层膜材料，A和B分别代表高原子序数、低原子序数两种不同材料。采用M靶材和A靶材共溅射替代传统的单一高原子序数靶材A，靶材M为低表面能材料。低表面能材料M在镀膜过程充当催化剂，调整倾斜角度保证AxM1‑x膜层材料混合均匀，并有效抑制传统A和B材料交替镀膜时存在较大的界面混合情况。同时可以缓解由于高原子序数A材料容易结晶导致界面粗糙度大的问题。从而，降低了界面宽度，保证了多层膜的光谱性能和稳定性。该方法在制备极紫外、X射线和中子多层膜反射镜中具有重要的应用。

公开(公告)号：CN112458418A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011336831.8

申请日：2020-11-25

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 赵娇玲 ,  邵建达 ,  朱美萍 ,  易葵 ,  王胭脂 ,  王涛 ,  武振清 ,  陈上林

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜中降低极紫外多层膜表面粗糙度的方法，属于极紫外光刻技术领域。利用脉冲直流磁控溅射交替沉积高低原子序数多层膜，采用H2气对基底进行预处理，采用Ar气和H2气的混合气体替代纯Ar气作为脉冲直流溅射镀膜的工作气体，混合气体中H2气比例为2％‑10％。本发明将Mo膜层晶粒均匀化，降低多层膜粗糙度，减少界面缺陷，同时膜层材料中不引入H原子，保证了多层膜的光谱性能和环境稳定性。