-
公开(公告)号：CN117230416B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310258859.1
申请日：2023-07-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种磁控溅射元件镀膜膜厚分布修正的挡板设计方法，通过建立磁控溅射系统元件镀膜膜厚分布模型，设计以高斯曲线为基础的复合高斯型轮廓的修正挡板。本发明针对磁控溅射系统中面源靶材的复杂产额分布，可借助计算机进行自动优化并根据元件所需的不同目标膜厚分布进行针对性修正挡板的形状轮廓和安装位置，且对平面、球面和非球面光学元件均适用。
-
公开(公告)号：CN119469675A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202310991032.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种粗糙度影响极紫外曲面多层膜反射镜平均反射率的评估方法，包括制作与待评估极紫外曲面多层膜反射镜轮廓相同的镀膜夹具，该镀膜夹具上均匀分布有供小尺寸平面元件样品镀膜的孔；获取不同位置处小尺寸平面多层膜反射镜样品的表面粗糙度；计算每个小尺寸平面多层膜反射镜样品的反射率；计算待评估极紫外曲面多层膜反射镜的平均反射率。本发明适用于反射率对粗糙度敏感的短波长薄膜元件；能够在没有极紫外曲面多层膜反射镜反射率测试装置的情况下，实现粗糙度影响极紫外曲面多层膜反射镜平均反射率的评估；同时能够通过小尺寸平面多层膜元件推算大尺寸极紫外曲面多层膜元件的平均反射率，极大地降低了大尺寸极紫外曲面多层膜元件的工艺优化成本。
-
公开(公告)号：CN117230416A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310258859.1
申请日：2023-07-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种磁控溅射元件镀膜膜厚分布修正的挡板设计方法，通过建立磁控溅射系统元件镀膜膜厚分布模型，设计以高斯曲线为基础的复合高斯型轮廓的修正挡板。本发明针对磁控溅射系统中面源靶材的复杂产额分布，可借助计算机进行自动优化并根据元件所需的不同目标膜厚分布进行针对性修正挡板的形状轮廓和安装位置，且对平面、球面和非球面光学元件均适用。
-
公开(公告)号：CN112458418A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011336831.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜中降低极紫外多层膜表面粗糙度的方法，属于极紫外光刻技术领域。利用脉冲直流磁控溅射交替沉积高低原子序数多层膜，采用H2气对基底进行预处理，采用Ar气和H2气的混合气体替代纯Ar气作为脉冲直流溅射镀膜的工作气体，混合气体中H2气比例为2％‑10％。本发明将Mo膜层晶粒均匀化，降低多层膜粗糙度，减少界面缺陷，同时膜层材料中不引入H原子，保证了多层膜的光谱性能和环境稳定性。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.024 seconds)
