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公开(公告)号：CN118130988A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410212388.5
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件辐照检测方法及装置，方法包括：获取待测半导体器件；将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度，检测待测半导体器件在各辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数；在每次检测第一电学参数后，将待测半导体器件的温度调节至第一测试温度，检测待测半导体器件在第一测试温度下的第二电学参数。本申请中，将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度后接受辐照，检测不同极端温度环境下的电学参数；每次检测第一电学参数后通过指定的第一测试温度检测第二电学参数，避免温度导致的电学特性漂移对辐照导致的电学特性漂移的影响，实现不同温度辐照损伤对半导体器件电学特性影响的定量对比。
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公开(公告)号：CN118053906A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410079537.5
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体器件的势阱区下增加一层具有极高少数载流子迁移率的少数载流子输运层，且所述少数载流子输运层通过过体电极通孔与体电极电连接，并在工作状态时接地，极大增强了半导体器件由碰撞电离产生的电子‑空穴对中少数载流子的输运效率，因此可以避免半导体器件在4K低温下工作时由于载流子冻结效应导致少数载流子在衬底累积引起的翘曲效应、迟滞效应等电特性变化，使半导体器件在4K低温下表现出与室温时类似的电特性。
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公开(公告)号：CN116313828A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310310773.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本申请提供一种超薄硅基芯片的柔性自对准封装方法及结构，该方法包括：提供基板，在所述基板上设置柔性衬底；对所述柔性衬底背离所述基板的一侧表面进行疏水处理，保留用于放置芯片的区域的亲水性，形成亲水区；在所述亲水区滴入去离子水，放入芯片以使所述芯片在所述去离子水的表面张力作用下定位到所述亲水区；加热去水后，在所述芯片上依次设置粘合层和金属层，通过所述金属层穿过所述粘合层与所述芯片的焊盘电连接，完成芯片封装。本申请通过在柔性衬底上设置亲水区，利用水的表面张力进行芯片定位，可快速准确的完成芯片对位。
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公开(公告)号：CN118053897A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410212389.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法，结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填衬底形成；第一介电层，设置于衬底上靠近隔离区域的一侧；第二介电层，设置于第一介电层上背离衬底的一侧；外基区，设置于第二介电层上背离第一介电层的一侧；第一侧墙，通过刻蚀外基区并淀积介电材料形成；内基区，通过刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成，内基区与外基区接触。本发明中，刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成内基区，突破内外基区连接区较窄、电阻和电容优化存在较大瓶颈的问题；外基区与内基区连接形成自对准结构，降低基区连接电阻，提高器件的最高振荡频率。
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公开(公告)号：CN116075158A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310178238.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中电科芯片技术(集团)有限公司
Abstract: 本发明提供一种存储器件的制备方法及存储器件，通过电输运层刻蚀成写入线与读取线，且写入线与读取线呈十字交叉结构，在交叉区域上使用磁性金属薄膜和反铁磁金属薄膜性形成磁性耦合结构，与下层的电输运层和上层的金属保护层之间形成异质结结构的存储器；在写入线中通入大电流时，可以通过SOT作用固定磁性耦合结构中磁性金属薄膜的磁矩方向；其后在写入线中通入小电流时，会在读取线两端产生电势差，从而可以读取电阻状态。相当于写入线通过金属导线与一个MOS晶体管的源极电极电连接，通过控制MOS管栅极电压状态和漏极电压状态，即可进行存储器的写入和读取操作。所以，本发明的工艺复杂度和制造成本较低，具有明显的优势和广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119312549A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411367528.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G06F30/20 , G06F30/28 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种双极器件低剂量率辐照损伤预测方法，包括：依据双极器件结构和工艺参数建立双极器件结构模型并实测电学参数进行校准；建立缺陷物理模型，并通过实验获得缺陷物理模型参数与累积剂量间的映射关系；耦合缺陷物理模型和双极器件结构模型，建立电离辐射损伤模型，并结合实验数据进行校准，形成双极器件低剂量率辐照损伤预测模型；基于双极器件低剂量率辐照损伤预测模型进行不同累积剂量下电学参数仿真，实现器件辐照损伤预测。本发明中，采用辐照实验和数值仿真相结合的方法，基于仿真工具建立双极器件结构模型和双极器件低剂量率辐照损伤预测模型，实现宽工作电压范围内器件关键电学特性退化行为的快速、定量预估。
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公开(公告)号：CN117936476A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311754232.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L23/38 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本申请提供一种用于2.5D以及3D封装的散热结构，包括：基板；热电制冷芯片，其部分嵌入所述基板，使得其吸热面与所述基板接触，散热面远离所述基板；芯片堆叠结构，其设置于所述基板背离所述热电制冷芯片的一侧，且所述芯片堆叠结构与所述热电制冷芯片之间通过散热通道连通。本申请由于热电制冷芯片无机械移动部件、高可控性、长寿命的特点，使高密度堆叠芯片运行的故障率显著降低，从而提供了芯片散热结构更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN117936382A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410117135.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种低噪声SiGe双极晶体管及其制造方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区，发射区中包括侧墙复合结构，侧墙复合结构的材料由氮化硅、氧化硅和多晶硅复合而成。通过将侧墙结构中常用的氮化硅Spacer更改为氮化硅/氧化硅/多晶硅的侧墙结构，降低了SiGe HBT器件载流子在电流传输路径上由于界面缺陷引起的载流子俘获和释放的几率，进而有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的产额，达到抑制器件低频噪声的作用。
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公开(公告)号：CN116799047A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310625337.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种HBT结构及其制造方法，结构包括：硅基衬底；集电区耐压区，深N阱注入于硅基衬底；外延集电区，外延于集电区耐压区上；多个集电区接触区，间隔设置于集电区耐压区背离硅基衬底的一侧；多个隔离浅槽，设置于各集电区接触区两侧；基区，外延于外延集电区上；发射区，外延于基区的发射区窗口中。本发明中，HBT结构不需要传统的掩埋层，通过隔离浅槽将集电区耐压区与集电区接触区相隔离，在横向和纵向都能有效承受压降；通过在集电区耐压区上外延集电区，并在外延集电区上形成基区得到非平面PN结，形成二维电场分布，能够获得较大的增益带宽积，还能够在有效提高集电结击穿电压的同时保持较高的特征频率。
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公开(公告)号：CN116230531A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310230132.2
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/737 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔形介电结构为掩膜进行离子注入，在第一基区的底部和赝埋层的顶部形成集电极，以介电结构为侧面的沟槽中形成发射极，采用镍硅工艺在发射极、基极及集电极形成欧姆接触的金属层。本发明在第一基区和第二基区采用楔形连接，增加了接触面积，减小基极电阻，通过在衬底中形成赝埋层以及镍硅工艺，减少埋层的形成，降低对热预算的需求，提升了工艺的复用性和可靠性。
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