公开(公告)号：CN119312549A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411367528.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 傅婧 ,  魏佳男 ,  付晓君 ,  张培健 ,  张小磊 ,  税国华 ,  朱梦蝶 ,  龙翠平 ,  赵明琪

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/28 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种双极器件低剂量率辐照损伤预测方法，包括：依据双极器件结构和工艺参数建立双极器件结构模型并实测电学参数进行校准；建立缺陷物理模型，并通过实验获得缺陷物理模型参数与累积剂量间的映射关系；耦合缺陷物理模型和双极器件结构模型，建立电离辐射损伤模型，并结合实验数据进行校准，形成双极器件低剂量率辐照损伤预测模型；基于双极器件低剂量率辐照损伤预测模型进行不同累积剂量下电学参数仿真，实现器件辐照损伤预测。本发明中，采用辐照实验和数值仿真相结合的方法，基于仿真工具建立双极器件结构模型和双极器件低剂量率辐照损伤预测模型，实现宽工作电压范围内器件关键电学特性退化行为的快速、定量预估。

公开(公告)号：CN117747428A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311708424.9

申请日：2023-12-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  付晓君 ,  张培健 ,  陈杰 ,  易孝辉 ,  张小磊

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01R31/00 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，当样本双极晶体管的基极电流变化量随电流密度增大而减小，将对应的电流密度及偏置电压设置为辐射退火条件；将辐射退火条件施加到辐照后的待退火双极晶体管进行退火处理，得到退火双极晶体管。本申请对样本双极晶体管施加复合应力以确定双极晶体管的退火条件，基于退火条件对辐照后的双极晶体管进行退火，完成退火操作，退火的操作过程不需要依赖温度，能快速完成原位退火，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118130988A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410212388.5

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  蒲阳 ,  仵韵辰 ,  张小磊 ,  石艳斌 ,  傅婧 ,  洪敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件辐照检测方法及装置，方法包括：获取待测半导体器件；将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度，检测待测半导体器件在各辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数；在每次检测第一电学参数后，将待测半导体器件的温度调节至第一测试温度，检测待测半导体器件在第一测试温度下的第二电学参数。本申请中，将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度后接受辐照，检测不同极端温度环境下的电学参数；每次检测第一电学参数后通过指定的第一测试温度检测第二电学参数，避免温度导致的电学特性漂移对辐照导致的电学特性漂移的影响，实现不同温度辐照损伤对半导体器件电学特性影响的定量对比。

公开(公告)号：CN118192747A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410386776.5

申请日：2024-04-01

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 韦金星 ,  付晓君 ,  张小磊 ,  杨曼琳 ,  魏佳男

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属于基准电压源技术领域，具体涉及一种抗辐照带隙基准电压源；该电压源包括：前置一阶带隙基准电路、第一放大电路、核心一阶带隙基准电路和第二放大电路；前置一阶带隙基准电路包括偏置电压产生模块、前置启动模块和前置一阶带隙模块；第一放大电路包括第一运放模块和第一采样反馈模块；核心一阶带隙基准电路包括依次连接的核心启动模块、核心一阶带隙模块和曲率补偿模块；第二放大电路包括第二运放模块和第二采样反馈模块；抗辐照带隙基准电压源还包括睡眠保护电路，睡眠保护电路包括偏置电流产生模块和限流模块；本发明可实现较高电压的输出并具备电流驱动能力。