公开(公告)号：CN119312549A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411367528.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 傅婧 ,  魏佳男 ,  付晓君 ,  张培健 ,  张小磊 ,  税国华 ,  朱梦蝶 ,  龙翠平 ,  赵明琪

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/28 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种双极器件低剂量率辐照损伤预测方法，包括：依据双极器件结构和工艺参数建立双极器件结构模型并实测电学参数进行校准；建立缺陷物理模型，并通过实验获得缺陷物理模型参数与累积剂量间的映射关系；耦合缺陷物理模型和双极器件结构模型，建立电离辐射损伤模型，并结合实验数据进行校准，形成双极器件低剂量率辐照损伤预测模型；基于双极器件低剂量率辐照损伤预测模型进行不同累积剂量下电学参数仿真，实现器件辐照损伤预测。本发明中，采用辐照实验和数值仿真相结合的方法，基于仿真工具建立双极器件结构模型和双极器件低剂量率辐照损伤预测模型，实现宽工作电压范围内器件关键电学特性退化行为的快速、定量预估。

公开(公告)号：CN116205117A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310160765.0

申请日：2023-02-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  傅婧 ,  罗婷 ,  仵韵辰 ,  石艳斌 ,  陆科

IPC: G06F30/25 ,  G06F111/08

Abstract: 本申请提供一种电荷收集方法及系统，该方法包括：获取待测半导体器件，利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；基于单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型，并对多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，以及计算辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到辐射粒子入射待测半导体器件的电荷收集量。本申请可以构建重离子、α粒子等直接电离诱发单粒子效应的电荷收集模型，也可以构建质子、中子等次级粒子诱发单粒子效应的电荷收集模型，再通过电荷收集模型得到单粒子效应电荷收集量，增加了电荷收集模型的适用范围。

公开(公告)号：CN116029184A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310166000.8

申请日：2023-02-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  徐学良 ,  傅婧 ,  陈仙 ,  易孝辉 ,  谭开洲 ,  洪敏

IPC: G06F30/25 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供一种单粒子效应敏感区域确定方法及系统，该方法包括：利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；再基于单粒子效应敏感区域平面图计算单粒子效应敏感区域的表面积，同时获取预先或实时基于待测半导体器件构建的三维数值仿真模型，并基于三维数值仿真模型确定出单粒子效应敏感区域的深度；最后将单粒子效应敏感区域的表面积和深度进行结合，得到待测半导体器件的单粒子效应敏感区域。由此可知，本发明可以确定出待测半导体的单粒子效应敏感区域表面积和深度。本发明通过数值仿真方法缓解了重离子实验机时短缺、费用昂贵的问题，大幅提高实验效率，节约了实验成本。

公开(公告)号：CN118130988A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410212388.5

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  蒲阳 ,  仵韵辰 ,  张小磊 ,  石艳斌 ,  傅婧 ,  洪敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件辐照检测方法及装置，方法包括：获取待测半导体器件；将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度，检测待测半导体器件在各辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数；在每次检测第一电学参数后，将待测半导体器件的温度调节至第一测试温度，检测待测半导体器件在第一测试温度下的第二电学参数。本申请中，将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度后接受辐照，检测不同极端温度环境下的电学参数；每次检测第一电学参数后通过指定的第一测试温度检测第二电学参数，避免温度导致的电学特性漂移对辐照导致的电学特性漂移的影响，实现不同温度辐照损伤对半导体器件电学特性影响的定量对比。

公开(公告)号：CN117949101A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410117133.0

申请日：2024-01-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 傅婧 ,  郭安然 ,  李国伟

IPC: G01J11/00 ,  G06F30/20 ,  G06F111/10

Abstract: 本申请涉及单光子探测器仿真技术领域，提供一种硅基单光子探测器暗计数率仿真方法、装置、设备及介质，方法包括：获取目标硅基单光子探测器在不同温度下的多个击穿电压；根据各击穿电压，得到目标硅基单光子探测器的过偏压范围，以及在耗尽区内过偏压范围对应的击穿概率和载流子产生速率；根据击穿概率和载流子产生速率，得到目标硅基单光子探测器在不同温度下的暗计数率。本申请中，通过仿真获得硅基单光子探测器在不同温度下的暗计数率，可以降低器件暗计数率优化的时间和成本，拓宽暗计数率仿真的适用温度范围。