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公开(公告)号：CN118053906A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410079537.5
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体器件的势阱区下增加一层具有极高少数载流子迁移率的少数载流子输运层，且所述少数载流子输运层通过过体电极通孔与体电极电连接，并在工作状态时接地，极大增强了半导体器件由碰撞电离产生的电子‑空穴对中少数载流子的输运效率，因此可以避免半导体器件在4K低温下工作时由于载流子冻结效应导致少数载流子在衬底累积引起的翘曲效应、迟滞效应等电特性变化，使半导体器件在4K低温下表现出与室温时类似的电特性。
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公开(公告)号：CN115129103B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210692865.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种基于CMOS器件的电流补偿电路、电流补偿方法及超薄柔性芯片，电流补偿电路包括第一级CMOS模块、检测及反馈模块、第二级CMOS模块；本发明通过“第一级CMOS模块+检测及反馈模块+第二级CMOS模块”的结构设计，基于第一级CMOS模块能对沿第一方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，基于第一级CMOS模块和第二级CMOS模块能对沿第二方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，对外输出稳定的工作电流，可使得超薄柔性芯片中的CMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可解决因第一方向或者第二方向的弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，提升了超薄柔性芯片的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119815910A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411950645.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构，包括硅基衬底和外延层；所述外延层的双极晶体管器件区中沿其长度方向依次设置有N个叉指结构；每一所述叉指结构分别包括基区、发射区和深集电极接触区，所述基区设置在外延层的顶部区域，所述发射区设置在基区的顶部区域；所述深集电极接触区设置在基区的一侧，且从外延层的顶部垂直向下延伸至外延层的底部；沿从双极晶体管器件区的边缘向中间的方向，所述叉指结构中发射区的长度依次减少。本发明中，通过增大多叉指双极晶体管中边缘叉指结构的发射区长度并减小中部叉指结构的发射区长度，可以降低多叉指双极晶体管中边缘叉指结构和中部叉指结构的结温差异，提升器件的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119815905A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411950737.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成浅N阱，浅N阱与深N阱的边缘形成重叠；在深N阱的正上方的衬底中通过注入形成P阱；制作栅极；注入形成源漏接触区、LDD区；形成侧墙隔离结构和金属化接触层。本发明中，通过在P阱下方的N型埋层以及深N阱实现双层衬底隔离，隔绝了P型衬底由于电路中不同偏置电压引起的噪声串扰，有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的值，达到抑制器件低频噪声的作用。
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公开(公告)号：CN118053897A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410212389.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种低基区连接电阻的高速锗硅HBT结构及其制造方法，结构包括：衬底；隔离区域，通过刻蚀并回填衬底形成；第一介电层，设置于衬底上靠近隔离区域的一侧；第二介电层，设置于第一介电层上背离衬底的一侧；外基区，设置于第二介电层上背离第一介电层的一侧；第一侧墙，通过刻蚀外基区并淀积介电材料形成；内基区，通过刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成，内基区与外基区接触。本发明中，刻蚀第一介电层、第二介电层并外延硅锗形成内基区，突破内外基区连接区较窄、电阻和电容优化存在较大瓶颈的问题；外基区与内基区连接形成自对准结构，降低基区连接电阻，提高器件的最高振荡频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116075158A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310178238.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中电科芯片技术(集团)有限公司
Abstract: 本发明提供一种存储器件的制备方法及存储器件，通过电输运层刻蚀成写入线与读取线，且写入线与读取线呈十字交叉结构，在交叉区域上使用磁性金属薄膜和反铁磁金属薄膜性形成磁性耦合结构，与下层的电输运层和上层的金属保护层之间形成异质结结构的存储器；在写入线中通入大电流时，可以通过SOT作用固定磁性耦合结构中磁性金属薄膜的磁矩方向；其后在写入线中通入小电流时，会在读取线两端产生电势差，从而可以读取电阻状态。相当于写入线通过金属导线与一个MOS晶体管的源极电极电连接，通过控制MOS管栅极电压状态和漏极电压状态，即可进行存储器的写入和读取操作。所以，本发明的工艺复杂度和制造成本较低，具有明显的优势和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115129103A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210692865.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种基于CMOS器件的电流补偿电路、电流补偿方法及超薄柔性芯片，电流补偿电路包括第一级CMOS模块、检测及反馈模块、第二级CMOS模块；本发明通过“第一级CMOS模块+检测及反馈模块+第二级CMOS模块”的结构设计，基于第一级CMOS模块能对沿第一方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，基于第一级CMOS模块和第二级CMOS模块能对沿第二方向的单轴弯曲应力作用下待补偿CMOS器件的工作电流变化量进行补偿调节，对外输出稳定的工作电流，可使得超薄柔性芯片中的CMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可解决因第一方向或者第二方向的弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，提升了超薄柔性芯片的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119653842A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411866043.8
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法，屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构包括衬底、漂移区和层间介质层，所述漂移区上设置有深沟槽，所述深沟槽中设置有屏蔽栅、中间氧化物层和控制栅；所述漂移区的上部通过注入形成有体区和源区，所述层间电介质设置有贯穿源区并伸入体区的源极接触孔，所述源极接触孔的侧壁和底部均通过注入形成有高掺杂接触区；所述源极接触孔的下方通过高能离子注入形成有电荷平衡区。本发明中，通过设置电荷平衡区可以在屏蔽栅沟槽MOSFET器件处于反偏状态下时增强屏蔽栅对相邻的漂移区的横向耗尽，减低了器件的比导通电阻，加快了外延层漂移区耗尽，提升了器件的可靠性和抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN118782685A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410936205.4
申请日：2024-07-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/11
Abstract: 本发明公开了一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法，包括：在Si衬底上依次外延N型Si次集电极，选区外延N型Si集电极；干法刻蚀N‑Si集电极纳米阵列；淀积P+SiGe层形成Si/SiGe基区纳米阵列；选择性外延多晶N+Si发射极薄膜；刻蚀电极接触孔制造金属电极。本发明的纳米线阵列的自由侧壁使晶格应变弛豫仅在纳米尺度上进行，不产生失配位错等非辐射复合中心；纳米线结构应力可更有效地进行张应变调制，提高SiGe材料的直接带隙特性；高的比表面积和强量子限制效应增强了器件的光吸收效率；纳米线阵列可有效避免侧壁损伤，进一步增强了材料的光吸收效率；整体HPT器件结构的SiGe基区厚度极薄，基区渡越时间降低、频率特性高，可同时兼顾器件的高光吸收效率和高频率特性。
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公开(公告)号：CN118098962A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410237828.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/737 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种锗硅异质结双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长集电极层和基极层，得到第一样品；在所述第一样品远离所述衬底的表面制作一层碳量子点层，使得所述碳量子层与所述基极层形成原子级接触；在所述碳量子点层的基础上制作发射极层；在所述发射极层、碳量子点层、基极层和集电极层的基础上制作绝缘层，并通过刻蚀由所述绝缘层引出对应的电极。本申请可有效提高异质结双极型晶体管的性能。
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