公开(公告)号：CN116205117A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310160765.0

申请日：2023-02-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  傅婧 ,  罗婷 ,  仵韵辰 ,  石艳斌 ,  陆科

IPC: G06F30/25 ,  G06F111/08

Abstract: 本申请提供一种电荷收集方法及系统，该方法包括：获取待测半导体器件，利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；基于单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型，并对多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，以及计算辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到辐射粒子入射待测半导体器件的电荷收集量。本申请可以构建重离子、α粒子等直接电离诱发单粒子效应的电荷收集模型，也可以构建质子、中子等次级粒子诱发单粒子效应的电荷收集模型，再通过电荷收集模型得到单粒子效应电荷收集量，增加了电荷收集模型的适用范围。

公开(公告)号：CN118130988A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410212388.5

申请日：2024-02-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  蒲阳 ,  仵韵辰 ,  张小磊 ,  石艳斌 ,  傅婧 ,  洪敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种半导体器件辐照检测方法及装置，方法包括：获取待测半导体器件；将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度，检测待测半导体器件在各辐照目标温度下接受辐照后的第一电学参数；在每次检测第一电学参数后，将待测半导体器件的温度调节至第一测试温度，检测待测半导体器件在第一测试温度下的第二电学参数。本申请中，将待测半导体器件的温度调节至多个辐照目标温度后接受辐照，检测不同极端温度环境下的电学参数；每次检测第一电学参数后通过指定的第一测试温度检测第二电学参数，避免温度导致的电学特性漂移对辐照导致的电学特性漂移的影响，实现不同温度辐照损伤对半导体器件电学特性影响的定量对比。

公开(公告)号：CN118053906A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410079537.5

申请日：2024-01-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 仵韵辰 ,  石艳斌 ,  洪敏 ,  易孝辉 ,  魏佳男 ,  谭开洲 ,  张培健

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体器件的势阱区下增加一层具有极高少数载流子迁移率的少数载流子输运层，且所述少数载流子输运层通过过体电极通孔与体电极电连接，并在工作状态时接地，极大增强了半导体器件由碰撞电离产生的电子‑空穴对中少数载流子的输运效率，因此可以避免半导体器件在4K低温下工作时由于载流子冻结效应导致少数载流子在衬底累积引起的翘曲效应、迟滞效应等电特性变化，使半导体器件在4K低温下表现出与室温时类似的电特性。

公开(公告)号：CN116075158A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310178238.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  中电科芯片技术(集团)有限公司

Inventor： 仵韵辰 ,  谭开洲 ,  张培健 ,  石艳斌 ,  洪敏 ,  魏佳男 ,  易孝辉

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供一种存储器件的制备方法及存储器件，通过电输运层刻蚀成写入线与读取线，且写入线与读取线呈十字交叉结构，在交叉区域上使用磁性金属薄膜和反铁磁金属薄膜性形成磁性耦合结构，与下层的电输运层和上层的金属保护层之间形成异质结结构的存储器；在写入线中通入大电流时，可以通过SOT作用固定磁性耦合结构中磁性金属薄膜的磁矩方向；其后在写入线中通入小电流时，会在读取线两端产生电势差，从而可以读取电阻状态。相当于写入线通过金属导线与一个MOS晶体管的源极电极电连接，通过控制MOS管栅极电压状态和漏极电压状态，即可进行存储器的写入和读取操作。所以，本发明的工艺复杂度和制造成本较低，具有明显的优势和广泛的应用前景。