公开(公告)号：CN113838757B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202111277384.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  罗婷 ,  唐昭焕 ,  谭开洲 ,  仵韵辰 ,  张培健 ,  陈仙

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提出一种抗单粒子效应VDMOS器件的形成方法及VDMOS器件，包括：提供具有第一掺杂类型的衬底；在所述衬底的其中一个面上向外延伸生长出具有所述第一掺杂类型的外延层；在所述外延层背离所述衬底的一侧形成具有第二掺杂类型的体区、体接触区以及具有所述第一掺杂类型的源区；在所述外延层上垂直于所述衬底与所述外延层的接触面方向蚀刻形成沟槽区，所述沟槽区穿过所述体区和所述体接触区；通过具有所述第二掺杂类型的多晶硅对所述沟槽区进行填充，形成第一填充区，所述第一填充区不与所述体区和所述体接触区电性连接，通过绝缘介质填充所述沟槽区的剩余区域；本发明可大幅提高VDMOS器件的抗单粒子烧毁和抗单粒子栅穿能力。

公开(公告)号：CN116565017A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310263036.8

申请日：2023-03-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 易孝辉 ,  张培健 ,  陈仙 ,  洪敏 ,  魏佳男 ,  唐新悦 ,  罗婷 ,  张静

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种抗单粒子瞬态的异质结双极晶体管及制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成深N阱，在深N阱中形成深P阱；在深N阱与深P阱的侧面，形成第一浅槽隔离结构，在深P阱内部，形成第二浅槽隔离结构；在深P阱内部形成被第二浅槽隔离结构包围隔离的区域内形成集电区；在集电区上形成异质结双极晶体管。本发明所设计的衬底包括深N阱和深P阱，在该衬底上制造的异质结双极晶体管，当发生单粒子瞬态时，可减少集电区收集的电荷，并将集电区瞬态电流降低，提高集电区瞬态电流快速掉电的效率，降低抗单子瞬态的生产成本。

公开(公告)号：CN116207145A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310311056.8

申请日：2023-03-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 易孝辉 ,  张培健 ,  陈仙 ,  洪敏 ,  魏佳男 ,  唐新悦 ,  罗婷 ,  张静

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种锗硅HBT发射区‑基区结构的制作方法及结构，所述方法包括：提供基区叠层；在所述基区叠层上氧化物牺牲层，并制作接触孔贯穿所述氧化物牺牲层；在所述氧化物牺牲层的接触孔处依次形成氮化物保护层、氧化物保护层以及发射区，其中所述发射区通过所述接触孔与所述基区叠层接触，所述氮化物保护层和所述氧化物保护层形成包裹所述发射区顶部和侧面的包裹结构，所述发射区顶部为所述发射区背离所述基区叠层的一侧；去除所述氧化物牺牲层和所述氮化物牺牲层，在所述基区叠层设置有所述发射区的一侧形成外基区。本申请突破光刻精度的限制缩小发射区尺寸。

公开(公告)号：CN115274839A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210933000.1

申请日：2022-08-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 罗婷 ,  魏佳男 ,  张培健 ,  付晓君 ,  王鹏 ,  陈仙 ,  易孝辉

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种深槽隔离双极晶体管及其制造方法，通过设置在第一杂质类型衬底内的第一杂质类型重掺杂区，在过剩载流子向集电区‑衬底PN结输运的路径上引入了高复合率区域，减少了被集电区收集的过剩载流子数量，能够有效降低瞬时光电流的幅值并缩短其持续时间，从而大幅提高了深槽隔离双极晶体管的抗瞬时剂量率效应能力；第一杂质类型重掺杂区位于衬底中，不改变器件的本征区域结构和工艺流程，不影响器件的常规电学参数；第一杂质类型重掺杂区的形成方法简单，与常规器件相比，仅需增加一次离子注入流程，同时不需引出单独的金属接触，有利于降低工艺复杂度和制造成本；同时，在提高抗瞬时剂量率效应能力的同时，还能够提高抗单粒子效应能力。

公开(公告)号：CN115021732A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210625457.6

申请日：2022-06-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 洪敏 ,  陈仙 ,  张培健 ,  罗婷 ,  唐新悦 ,  易孝辉

IPC: H03K17/14 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种电流补偿电路、硅基超薄柔性芯片及电流补偿方法，电流补偿电路包括第一PMOS模块及第二PMOS模块；本发明通过“并联设置的、沟道电流方向相互垂直的且电参数特性相同的第一PMOS模块和第二PMOS模块”的结构设计，在任意单轴弯曲应力作用下，将第一PMOS模块的工作电流变化量与第二PMOS模块的工作电流变化量对冲抵消，使得第一PMOS模块或者第二PMOS模块中的PMOS器件的工作电流变化量随之抵消，对外输出经过补偿调节的工作电流，进而使得硅基超薄柔性芯片中的PMOS器件始终保持稳定的电信号输出，可有效解决因弯曲形变应力而导致的器件参数漂移和性能退化问题，明显提升了硅基超薄柔性芯片的性能稳定性。

公开(公告)号：CN114122110A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111414757.1

申请日：2021-11-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 魏佳男 ,  张培健 ,  罗婷 ,  陈仙 ,  税国华 ,  仵韵辰 ,  易孝辉 ,  洪敏 ,  任芳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区和发射结的环形掺杂区，以及与环形掺杂区电连接的环形集电极接触，形成了一个抗总剂量加固结构，该抗总剂量加固结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，降低了基区Si/SiO2界面附近的载流子复合率，抑制了基极电流的增加，提高了抗总剂量能力。

公开(公告)号：CN118053755A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410206539.6

申请日：2024-02-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 洪敏 ,  张培健 ,  易孝辉 ,  唐新悦 ,  钱坤 ,  朱坤峰 ,  张广胜 ,  廖文龙 ,  杨倩 ,  魏佳男 ,  罗婷

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管深槽隔离结构的制造方法，包括：在衬底上依次形成埋层、N型外延层和掩膜层；通过光刻和刻蚀形成深槽结构；依次对深槽结构进行第一步线性氧化、第一次退火处理、第二步线性氧化、第二次退火处理；在深槽结构中填充多晶硅介质；蚀刻去除非深槽结构区的多晶硅介质；氧化深槽结构顶部的多晶硅介质，形成深槽隔离结构。本发明通过采用两步线性氧化加退火处理，充分释放深槽隔离结构中槽壁氧化层制造过程中产生的热应力，减少由应力触发生成的位错核及其诱导产生的位于SiGe基区‑集电极区域附近的界面缺陷，有效降低陷阱中心对载流子的俘获和释放过程，抑制随机电报噪声的产生，达到优化器件低频噪声特性的效果。

公开(公告)号：CN114093937B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202111414737.4

申请日：2021-11-25

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张培健 ,  魏佳男 ,  易孝辉 ,  税国华 ,  洪敏 ,  陈仙 ,  罗婷 ,  朱坤峰 ,  张广胜

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区、设置在外延层中并环绕基区的发射区和集电区。通过包围基区和发射结的环形集电极场板形成的双极晶体管结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，从而降低了Si/SiO2界面附近二氧化硅陷阱缺陷对载流子的俘获和释放过程，进而有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的产额，达到抑制器件低频噪声的作用。

公开(公告)号：CN116504630A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310490087.4

申请日：2023-05-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 陈仙 ,  张静 ,  唐新悦 ,  张培健 ,  洪敏 ,  易孝辉 ,  魏佳男 ,  罗婷 ,  仵韵辰 ,  谭开洲

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/167

Abstract: 本发明提供了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，在所述方法中，先形成梯形的牺牲结构，再形成第一掺杂多晶硅层，在牺牲结构的侧壁形成第一掺杂多晶硅层的倒斜面结构，后续刻蚀牺牲结构并形成梯形空腔，在空腔中外延生长，形成梯形的锗硅外延层，并在第一掺杂多晶硅层的表面上形成多晶锗硅层，侧壁处的多晶锗硅层呈斜面结构，使得第一掺杂多晶硅层侧壁处的倒斜面与多晶锗硅层外侧的斜面契合匹配，使得多晶锗硅层内侧的斜面与锗硅外延层侧壁处的斜面契合匹配，实现了基于锗硅外延层的内基区与基于第一掺杂多晶硅层的外基区的匹配连接，减少了锗硅外延层与第一掺杂多晶硅层之间的孔洞缝隙，增大了内基区与外基区的接触面积，降低了基区的总电阻。

公开(公告)号：CN115410961A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211170246.4

申请日：2022-09-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 陈仙 ,  张培健 ,  唐新悦 ,  洪敏 ,  易孝辉 ,  魏佳男 ,  罗婷 ,  仵韵辰 ,  张静 ,  谭开洲

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆腐蚀装置，包括：承载机构，承载机构包括用于承载硅晶圆的承载盘；旋转机构，与所述承载机构连接，并驱动所述承载机构旋转；喷液机构，设置在所述承载盘上方，用于向所述承载盘上的所述硅晶圆喷射液体；集液流道，环绕于所述承载盘边缘地设置在所述承载盘的外侧，所述集液流道在朝向所述承载盘的方向设置有集液口，所述承载机构旋转时，所述承载盘上的液体在离心作用下进入所述集液流道。本申请能够与硅晶圆的机械减薄工序配合进一步对硅晶圆进行减薄，有效消除了硅晶圆背面所受的机械损伤，有利于提高硅基超薄柔性芯片加工成品率，增加柔性芯片产品可靠性，提高制造效率，具有结构巧妙、实用性强、控制精度高等特点。