公开(公告)号：CN119767778A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411858718.4

申请日：2024-12-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 易孝辉 ,  张培健 ,  朱坤峰 ,  钱坤 ,  唐新悦 ,  洪敏 ,  幸鹏程 ,  石松 ,  刘健 ,  吕相林

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D10/80 ,  H10D84/85 ,  H10D62/832 ,  H10D62/17 ,  H10D62/13

Abstract: 本发明公开了一种集成CMOS和自对准硅锗HBT的方法及结构，方法包括：在硅衬底上形成多个浅槽隔离区；在CMOS有源区形成多晶硅栅、栅极氧化硅和轻掺杂区；在HBT区打开基区窗口并形成选择性离子注入区；形成Si Ge基区；形成牺牲发射区；刻蚀露出Si Ge基区的外侧区域的表面并形成外基区；形成发射区窗口并暴露出下方Si Ge基区的Si Ge表面；在发射区窗口形成硅发射区，光刻图形化发射区和外基区。本发明中，采用一种新型的牺牲发射区工艺，结合抬升外基区和发射区的自对准的方法，有效降低了工艺复杂度，并使器件工艺过程与标准CMOS和其他无源器件工艺过程兼容。

公开(公告)号：CN119815910A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411950645.1

申请日：2024-12-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 洪敏 ,  张培健 ,  易孝辉 ,  唐新悦 ,  钱坤 ,  杨永晖 ,  刘健 ,  朱坤峰 ,  谢宝强 ,  石松 ,  幸鹏程 ,  廖文龙 ,  陈泽 ,  吕相林 ,  庞一尘 ,  王家有

IPC: H10D84/60 ,  H10D62/13 ,  H10D64/23

Abstract: 本发明公开了一种基于热耦合优化的多叉指双极晶体管结构，包括硅基衬底和外延层；所述外延层的双极晶体管器件区中沿其长度方向依次设置有N个叉指结构；每一所述叉指结构分别包括基区、发射区和深集电极接触区，所述基区设置在外延层的顶部区域，所述发射区设置在基区的顶部区域；所述深集电极接触区设置在基区的一侧，且从外延层的顶部垂直向下延伸至外延层的底部；沿从双极晶体管器件区的边缘向中间的方向，所述叉指结构中发射区的长度依次减少。本发明中，通过增大多叉指双极晶体管中边缘叉指结构的发射区长度并减小中部叉指结构的发射区长度，可以降低多叉指双极晶体管中边缘叉指结构和中部叉指结构的结温差异，提升器件的性能稳定性。

公开(公告)号：CN119815905A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411950737.X

申请日：2024-12-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 张培健 ,  易孝辉 ,  洪敏 ,  唐新悦 ,  钱坤 ,  廖文龙 ,  刘健 ,  谢宝强 ,  臧剑栋 ,  朱坤峰 ,  张广胜 ,  杨永晖 ,  幸鹏程 ,  石松

IPC: H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D84/83

Abstract: 本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成浅N阱，浅N阱与深N阱的边缘形成重叠；在深N阱的正上方的衬底中通过注入形成P阱；制作栅极；注入形成源漏接触区、LDD区；形成侧墙隔离结构和金属化接触层。本发明中，通过在P阱下方的N型埋层以及深N阱实现双层衬底隔离，隔绝了P型衬底由于电路中不同偏置电压引起的噪声串扰，有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的值，达到抑制器件低频噪声的作用。