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公开(公告)号：CN111257718A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010146832.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
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公开(公告)号：CN113791242B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110841790.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: SMD表贴封装器件热阻测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。夹具主体(23)一半部分的上表面设有器件定位板(3)，器件定位板(3)中间设有孔槽，孔槽直接露出的夹具主体(23)作为主散热面(24)，主散热面(24)的一边设有两个大电极针：第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)，第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)的一侧区域的主散热面(24)内的四个角各设有一个小电极针(17)；在主散热面(24)的正中心设有一热电偶(12)。通过分离控温、壳温测试及电连接三个板块，避免温度性能与电性能之间的相互干扰，进而准确测试SMD表贴封装器件热阻。
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公开(公告)号：CN114061495A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386223.2
申请日：2021-11-22
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01B15/02
Abstract: 一种毛纽扣接触件镀金层厚度测量方法，其特征在于包括如下步骤：毛纽扣接触件电镀金属镍，在铍铜丝镀金层表面形成镀镍层；采用环氧树脂对毛纽扣接触件样品进行真空灌封形成测试样块；待测试样块凝固后，使用自动研磨机沿毛纽扣接触件纵轴方向对测试样块的进行剖切研磨制样；剖面研磨制样后，采用扫描电子显微镜(SEM)检查毛纽扣接触件的截面，选择需要测量镀金层厚度的镀金铍铜丝截面；采用扫描电子显微镜(SEM)对镀金铍铜丝截面进行高倍率放大，并测量镀金层厚度。本发明通过在毛纽扣接触件镀金层外再加镀一层硬金属镍，遏制了研磨过程中金镀层的延展，解决了镀金层截面变形失真的问题，有效规避了镀金层延展导致测量不准的问题。
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公开(公告)号：CN108680849B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201810739764.0
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN117517394A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311348401.1
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01N25/72
Abstract: 本发明提供一种半导体分立器件芯片粘接合格性测试方法和装置，提前获得芯片粘接合格和不合格(但无限接近合格)的两只半导体分立器件，利用两只半导体分立器件的瞬态热阻确定半导体分立器件粘接层的瞬态热阻测试时间；基于瞬态热阻测试时间以及芯片粘接不合格的半导体分立器件在瞬态热阻测试时间的瞬态热阻，对待测半导体分立器件进行芯片粘接合格性测试。本发明可以快速有效筛除芯片粘接不合格的半导体分立器件，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108680849A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810739764.0
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN115902597A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210869391.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/307 , G01R31/311 , G01R31/28 , G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGA/LGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGA/LGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGA/LGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。
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公开(公告)号：CN113791242A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110841790.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: SMD表贴封装器件热阻测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。夹具主体(23)一半部分的上表面设有器件定位板(3)，器件定位板(3)中间设有孔槽，孔槽直接露出的夹具主体(23)作为主散热面(24)，主散热面(24)的一边设有两个大电极针：第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)，第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)的一侧区域的主散热面(24)内的四个角各设有一个小电极针(17)；在主散热面(24)的正中心设有一热电偶(12)。通过分离控温、壳温测试及电连接三个板块，避免温度性能与电性能之间的相互干扰，进而准确测试SMD表贴封装器件热阻。
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公开(公告)号：CN208568973U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201821070799.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种用于测量电子器件结温的装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215768668U
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202121695264.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: SMD表贴封装器件热阻测试夹具，属于半导体器件测试技术领域。夹具主体(23)一半部分的上表面设有器件定位板(3)，器件定位板(3)中间设有孔槽，孔槽直接露出的夹具主体(23)作为主散热面(24)，主散热面(24)的一边设有两个大电极针：第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)，第一大电极针(7A)和第二大电极针(7B)的一侧区域的主散热面(24)内的四个角各设有一个小电极针(17)；在主散热面(24)的正中心设有一热电偶(12)。通过分离控温、壳温测试及电连接三个板块，避免温度性能与电性能之间的相互干扰，进而准确测试SMD表贴封装器件热阻。
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