公开(公告)号：CN111257718A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010146832.X

申请日：2020-03-05

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 吕贤亮 ,  黄东巍 ,  郭春生 ,  王宝友 ,  张玉芹 ,  周钦沅 ,  高立 ,  闫美存 ,  赵雅君 ,  侯小利

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/02

Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。

公开(公告)号：CN212622912U

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202020258053.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 吕贤亮 ,  黄东巍 ,  郭春生 ,  王宝友 ,  张玉芹 ,  周钦沅 ,  高立 ,  闫美存 ,  赵雅君 ,  侯小利

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/02

Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利