公开(公告)号：CN111257718A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010146832.X

申请日：2020-03-05

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 吕贤亮 ,  黄东巍 ,  郭春生 ,  王宝友 ,  张玉芹 ,  周钦沅 ,  高立 ,  闫美存 ,  赵雅君 ,  侯小利

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/02

Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。

公开(公告)号：CN110221210B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201910451421.9

申请日：2019-05-28

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京赛西科技发展有限责任公司

Inventor： 曹锦珠 ,  王宝友 ,  赵波 ,  谷家栋

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/385 ,  G01R31/392 ,  G06Q10/04 ,  G06F30/20 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明提出了一种锂离子电池循环寿命快速预测方法，包括以下步骤：将待评价的电池置于要评价的循环中进行常规倍率(0.2C)和加速倍率(≥0.5C)条件下500次循环测试；拟合方程，计算补偿因子；对电池进行加速倍率(≥0.5C)条件下前100次循环测试，拟合方程后乘以补偿因子k得到快速预测方程；将短期循环次数100代入快速预测方程求解。该方法简单准确，与实际测试结果偏差小(

公开(公告)号：CN110221210A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910451421.9

申请日：2019-05-28

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京赛西科技发展有限责任公司

Inventor： 曹锦珠 ,  王宝友 ,  赵波 ,  谷家栋

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/385 ,  G01R31/392 ,  G06F17/50 ,  G06Q10/04

Abstract: 本发明提出了一种锂离子电池循环寿命快速预测方法，包括以下步骤：将待评价的电池置于要评价的循环中进行常规倍率(0.2C)和加速倍率(≥0.5C)条件下500次循环测试；拟合方程，计算补偿因子；对电池进行加速倍率(≥0.5C)条件下前100次循环测试，拟合方程后乘以补偿因子k得到快速预测方程；将短期循环次数100代入快速预测方程求解。该方法简单准确，与实际测试结果偏差小(

公开(公告)号：CN212622912U

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202020258053.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 中国电子技术标准化研究院 ,  北京工业大学

Inventor： 吕贤亮 ,  黄东巍 ,  郭春生 ,  王宝友 ,  张玉芹 ,  周钦沅 ,  高立 ,  闫美存 ,  赵雅君 ,  侯小利

IPC: G01R31/26 ,  G01R27/02

Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209460362U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201821545387.9

申请日：2018-09-20

Applicant: 中国电子技术标准化研究院

Inventor： 黄东巍 ,  吕贤亮 ,  王宝友 ,  任翔

IPC: G01R31/28

Abstract: 本实用新型提出了一种集成电路高温闩锁效应检测系统，包括：加热装置、信号源、试验电路板、闩锁效应试验台和供电电源。本实用新型实现了试验过程中的集成电路高温闩锁效应在线检测，通过加热装置的加入，使得待测器件工作在高温工作状态下。通过时序信号和时钟信号的加入，使得待测器件工作在实际的动态工作状态下，故检测出的抗闩锁能力可以表征集成电路在高温工作状态下的实际抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN208334572U

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201821050712.4

申请日：2018-07-03

Applicant: 中国电子技术标准化研究院

Inventor： 黄东巍 ,  麻力 ,  蔡依林 ,  任翔 ,  王宝友

IPC: G01R31/28

Abstract: 本实用新型提出了一种集成电路动态闩锁效应检测系统，包括：信号源、试验电路板、闩锁效应试验台和供电电源。本实用新型实现了试验过程中的集成电路动态闩锁效应在线检测，通过时序信号和时钟信号的加入，使得待测器件工作在实际的动态工作状态下，故检测出的抗闩锁能力可以表征集成电路在工作状态下的实际抗闩锁能力。