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公开(公告)号：CN113409245B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110365561.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06T5/70 , G06T5/90 , G06T5/40
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件X射线检查缺陷自动识别方法，该方法对X射线图像进行预处理；人工半自动或自动对样本进行标注，根据电子元器件的封装和缺陷形式，将待检测的电子元器件的缺陷类型分为空洞类缺陷、一致性缺陷和角度缺陷三大类。利用基于卷积神经网络的语义分割方法实现对四类空洞缺陷的检测。通过大量的样本对卷积神经网络进行训练，实现对各类空洞缺陷的精确分割，极大提高了缺陷自动识别效率。同时，通过灰度投影法对芯片焊接区及密封区等进行检测，根据相应的判别准则对其合格性进行判别。解决了以往无法进行自动计算和单纯靠人工进行判别的问题，以及混合集成电路中的基板与管壳焊接界面空洞的干扰问题。
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公开(公告)号：CN111257718A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010146832.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法，属于半导体器件热阻测量技术领域。主要利用了MOSFET功率模块中的MOSFET饱和区的漏源电压(VDS)和漏源电流(IDS)作为温敏参数来测量MOSFET功率模块的结温(TJ)。在MOSFET功率模块热阻测试时首先建立VDS-IDS-TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
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公开(公告)号：CN113409245A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110365561.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件X射线检查缺陷自动识别方法，该方法对X射线图像进行预处理；人工半自动或自动对样本进行标注，根据电子元器件的封装和缺陷形式，将待检测的电子元器件的缺陷类型分为空洞类缺陷、一致性缺陷和角度缺陷三大类。利用基于卷积神经网络的语义分割方法实现对四类空洞缺陷的检测。通过大量的样本对卷积神经网络进行训练，实现对各类空洞缺陷的精确分割，极大提高了缺陷自动识别效率。同时，通过灰度投影法对芯片焊接区及密封区等进行检测，根据相应的判别准则对其合格性进行判别。解决了以往无法进行自动计算和单纯靠人工进行判别的问题，以及混合集成电路中的基板与管壳焊接界面空洞的干扰问题。
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公开(公告)号：CN108680849B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201810739764.0
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN108680849A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810739764.0
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 一种电子器件结温的测量方法和装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114061495A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386223.2
申请日：2021-11-22
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01B15/02
Abstract: 一种毛纽扣接触件镀金层厚度测量方法，其特征在于包括如下步骤：毛纽扣接触件电镀金属镍，在铍铜丝镀金层表面形成镀镍层；采用环氧树脂对毛纽扣接触件样品进行真空灌封形成测试样块；待测试样块凝固后，使用自动研磨机沿毛纽扣接触件纵轴方向对测试样块的进行剖切研磨制样；剖面研磨制样后，采用扫描电子显微镜(SEM)检查毛纽扣接触件的截面，选择需要测量镀金层厚度的镀金铍铜丝截面；采用扫描电子显微镜(SEM)对镀金铍铜丝截面进行高倍率放大，并测量镀金层厚度。本发明通过在毛纽扣接触件镀金层外再加镀一层硬金属镍，遏制了研磨过程中金镀层的延展，解决了镀金层截面变形失真的问题，有效规避了镀金层延展导致测量不准的问题。
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公开(公告)号：CN119574059A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411649137.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京睿智航显示科技有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供了一种显示产品光电性能的检测系统及方法，其中系统包括校准装置，用于获得高低温条件下显示产品的光学性能的修正系数；在线测试装置，用于测试相同高低温度条件下显示产品的光学性能，校准装置与在线测试装置共用一组光纤探头和光纤，光纤探头用于捕获显示产品指定显示区域的光信号；光纤放置于相同高低温条件的环境中，用于传输捕获的光信号；求和模块，用于输出显示产品的光电性能的最终参数值，最终参数值为在线测试装置的测试值与所述修正系数求和；本申请解决了常规显示产品在环境试验箱内处于高温或低温条件下进行光学性能检测时，不同温度下玻璃透过率变化对测量结果准确性影响较大，无法准确测量显示产品光学性能的问题。
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公开(公告)号：CN212622912U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020258053.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 中国电子技术标准化研究院 , 北京工业大学
Abstract: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214409192U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202022780976.9
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
Abstract: 本实用新型提出了一种多路结温在线测试系统，该多路结温在线测试系统包括：测试电路板、栅压模块、功率模块、采集单元和控制器，测试电路板包括多条测试支路，每条测试支路均连接有待测器件；栅压模块、功率模块和采集单元均与各条测试支路连接，栅压模块用于控制各条测试支路的导通和关断；功率模块用于为各条测试支路提供功率电流；采集单元用于采集各条测试支路上的待测器件的温度敏感参数；控制器与采集单元连接，用于接收温度敏感参数，并基于温度敏感参数从预存的校温曲线中获取对应的待测器件的实时结温。由此，可以通过温度敏感参数在预存的校温曲线中查找出对应的温度值，实时可靠获取各待测器件的结温。
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公开(公告)号：CN209460362U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201821545387.9
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国电子技术标准化研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本实用新型提出了一种集成电路高温闩锁效应检测系统，包括：加热装置、信号源、试验电路板、闩锁效应试验台和供电电源。本实用新型实现了试验过程中的集成电路高温闩锁效应在线检测，通过加热装置的加入，使得待测器件工作在高温工作状态下。通过时序信号和时钟信号的加入，使得待测器件工作在实际的动态工作状态下，故检测出的抗闩锁能力可以表征集成电路在高温工作状态下的实际抗闩锁能力。
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