公开(公告)号：CN115902597A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210869391.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 中国电子技术标准化研究院

Inventor： 高立 ,  杨迪 ,  李旭 ,  周钦沅 ,  吕贤亮 ,  贺峤 ,  刘晨

IPC: G01R31/307 ,  G01R31/311 ,  G01R31/28 ,  G01N23/04

Abstract: 本发明公开了一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGA/LGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGA/LGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGA/LGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。