公开(公告)号：CN1735655A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380104374.8

申请日：2003-11-18

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  李晙赫 ,  尹熙梂

IPC: C08K5/107

CPC classification number: C08K5/0008 ,  C08K5/0041 ,  C08K5/42 ,  C08L25/18 ,  C08L33/14 ,  G03F7/091 ,  C08L33/10 ,  C08L2666/04

Abstract: 本发明涉及一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，更具体地说，涉及这样一种有机抗反射组合物和采用该组合物的构图方法，该组合物含有一种交联剂、一种吸光剂、一种热酸生成剂、一种有机溶剂和一种粘合增强剂。本发明的有机抗反射组合物能够解决由晶片上底层膜的光学特性和光刻胶厚度的改变而引起的驻波效应，能够防止由漫反射引起的临界尺寸(CD)的改变，防止有机抗反射膜上的光敏剂的图形坍缩，且能够因此形成稳定的64M、256M、512M、1G、4G和16G DRAM超细图形，并提高生产量。