公开(公告)号：CN105051609A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017300.9

申请日：2014-03-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李正烈 ,  林瑛培 ,  金钟元 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法，所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良，而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物，包含：包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子；以说明书的化学式4表示的化合物；以及有机溶剂。在说明书的化学式1中，R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基，R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基，a为1至3的整数，b为0至2的整数，在说明书的化学式4中，n为1至250的整数。

公开(公告)号：CN112028746A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201911219815.8

申请日：2019-12-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 沈载熙 ,  宋昌烨 ,  金载宪 ,  李知石 ,  郑仁硕 ,  李承炫 ,  姜贤求 ,  金炫辰 ,  林暎培 ,  金钟元 ,  韩奎元 ,  金甫龙

IPC: C07C35/21 ,  C07C43/196 ,  C07C39/17 ,  C07C43/23 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种硬掩模用化合物、包含所述化合物的硬掩模组合物及利用其的半导体元件的精细图案形成方法。本发明的硬掩模用化合物具有可应用于旋涂(spin-on coating)方法的高溶剂溶解性，因而可以制备不仅间隙填充性能优秀而且固化后耐热性及蚀刻耐性优秀的硬掩模组合物。另外，可以利用其提供半导体元件的精细图案形成方法。

公开(公告)号：CN105051609B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201480017300.9

申请日：2014-03-24

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李正烈 ,  林瑛培 ,  金钟元 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法，所述抗蚀剂下层膜组合物不仅热稳定性和耐蚀刻性优良，而且间隙填充(gap fill)特性也优良。上述抗蚀剂下层膜组合物，包含：包含以说明书的化学式1表示的重复单元的含芳香环高分子；以说明书的化学式4表示的化合物；以及有机溶剂。在说明书的化学式1中，R1是碳原子数为5至20的单环或多环芳香烃基，R2和R3各自独立地为碳原子数为4至14的单环或多环芳香烃基，a为1至3的整数，b为0至2的整数，在说明书的化学式4中，n为1至250的整数。