公开(公告)号：CN110352474B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN110352474A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人 ,  东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN107037209B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201611244853.5

申请日：2016-12-29

Applicant: 月桂株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边浩志 ,  成田知德 ,  寺本章伸

IPC: G01N33/569 ,  A61L2/04

Abstract: 本发明关于一种灭菌型液体成分检查装置及其使用方法，于生体检查后，能够容易的将携带型病毒检查装置废弃。将从血液、唾液、汗、生体取得的检体与生理盐水混合的检体混合溶液，利用抗体抗原反应进行检体检查后，通过多个小容器内部容积的差，与设置于各小容器的阀的开关操作方法，集中至检查装置本体的最深部，使用所设置的加热装置至少加热集中处，借此有效率的将被认为存在于检体混合液中的病毒等病原体进行灭菌。

公开(公告)号：CN103443910A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280000929.3

申请日：2012-04-05

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN103262225A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004168.9

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。

公开(公告)号：CN102792422A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011875.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。

公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101816060B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN102197461A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142901.1

申请日：2009-10-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  矶贝达典 ,  田中宏明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种接触形成方法、半导体装置的制造方法和半导体装置，能实现低电阻率的接触。在利用防氧化用的第二金属层覆盖了与半导体相接的第一金属层的状态下，只将第一金属层硅化物化，形成没有氧混入的硅化物层。作为第一金属层的材料，使用与半导体的工作函数之差成为规定的值的金属，且作为第二金属层的材料，使用在退火温度下与第一金属层不进行反应的金属。