公开(公告)号：CN102016107A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880128669.1

申请日：2008-04-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  北野真史 ,  山荫久明 ,  山田义人

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228

Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。

公开(公告)号：CN110352474B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201780086342.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  志波良信

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

公开(公告)号：CN102016107B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200880128669.1

申请日：2008-04-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  北野真史 ,  山荫久明 ,  山田义人

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228

Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。

公开(公告)号：CN112449681B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201980046298.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 一濑明大 ,  山田义人

IPC: G01N19/04

Abstract: 本发明的目的在于提供不借助手动处理地将测定对象物从基板剥离并把持的剥离把持装置。本发明在作为剥离把持用控制部发挥功能的剥离检查控制装置(55)的控制下执行以下的第1以及第2步骤。在第1步骤中，维持接触辊(32)的加工外周面(C32)与导线(12)的表面接触的加工面接触状态，执行一边使接触辊(32)旋转一边使接触辊(32)在导线(12)的表面上移动的接触辊旋转动作。在第1步骤的执行中，导线(12)的前端部分被从玻璃基板(11)剥离。然后，在第2步骤中，通过把持机构，执行对从玻璃基板(11)剥离的导线(12)的前端部分进行把持的把持动作。

公开(公告)号：CN111527796B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201880084691.4

申请日：2018-01-10

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  西村真一 ,  有田廉 ,  山田义人 ,  田畑要一郎

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H05H1/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够生成优质的活性气体的活性气体生成装置。然后，本发明具有特征(一)～特征(三)。特征(一)为“以接地侧电极构成部(2X)支承高压侧电极构成部(1X)的方式构成活性气体生成用电极组(300)”。特征(二)为“具有设置在高压侧电极构成部(1X)的电介质电极(110)的放电空间外区域、向下方突出的台阶部(115H，115M，115L)，通过这些台阶部的形成高度(S15)来规定放电空间(68)的间隙长度”。特征(三)为“高压侧电极构成部(1X)及接地侧电极构成部(2X)分别将放电空间形成区域(R68)的厚度形成得比较薄，并且将上述放电空间外区域的厚度形成得比较厚”。

公开(公告)号：CN111527796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201880084691.4

申请日：2018-01-10

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  西村真一 ,  有田廉 ,  山田义人 ,  田畑要一郎

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H05H1/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够生成优质的活性气体的活性气体生成装置。然后，本发明具有特征(一)～特征(三)。特征(一)为“以接地侧电极构成部(2X)支承高压侧电极构成部(1X)的方式构成活性气体生成用电极组(300)”。特征(二)为“具有设置在高压侧电极构成部(1X)的电介质电极(110)的放电空间外区域、向下方突出的台阶部(115H，115M，115L)，通过这些台阶部的形成高度(S15)来规定放电空间(68)的间隙长度”。特征(三)为“高压侧电极构成部(1X)及接地侧电极构成部(2X)分别将放电空间形成区域(R68)的厚度形成得比较薄，并且将上述放电空间外区域的厚度形成得比较厚”。

公开(公告)号：CN109477220A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201680087274.6

申请日：2016-06-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 西村真一 ,  渡边谦资 ,  山田义人

IPC: C23C16/505 ,  C01B13/11 ,  H05H1/24

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够喷出均匀性高的活性气体的活性气体生成装置。而且，关于本发明的电介质电极(21)，在中央区域(R51)中沿着X方向设置相互沿着X方向形成为2列结构的气体喷出孔(31)～(37)和气体喷出孔(41)～(47)来作为3个以上的多个气体喷出孔。而且，通过在气体喷出孔31和气体喷出孔41的形成位置设置X方向的差分，2列结构的气体喷出孔(31)～(37)和气体喷出孔(41)～(47)沿着X方向而气体喷出孔(3i)与气体喷出孔(4i)交替地配置。

公开(公告)号：CN103140919B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201080069337.8

申请日：2010-10-01

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 宇野淳一 ,  山蔭久明 ,  舩引猛 ,  山田义人

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F28D15/0275 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: 一种均热处理装置，能实现加热处理对象物的均匀加热和装置的小型化。均热处理装置包括：板（1），该板（1）在内部形成有封入工作液（31）的热管回路（2）；以及加热元件（3），该加热元件（3）对工作液（31）进行加热。热管回路（2）包括集管部和多个歧管部，其中，所述集管部用于使工作液（31）被加热而汽化，多个所述歧管部是从集管部分岔而形成的，用于使工作液（31）汽化后形成的蒸汽（33）与板（1）进行热交换而冷凝。加热元件（3）设置在集管部的、在加热元件（3）对工作液（31）进行加热时与工作液（31）接触的蒸发面（12）一侧。

公开(公告)号：CN102067291B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200880130098.5

申请日：2008-06-24

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 渡边谦资 ,  山田义人

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3143 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/67207

Abstract: 本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。

公开(公告)号：CN111201591B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201880063096.2

申请日：2018-09-20

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 山田义人 ,  一濑明大

IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10 ,  H05K3/20

Abstract: 本发明的目的在于提供能够相对较简单地进行超声波焊接用头部中的下降动作以及加压动作的控制的超声波振动焊接装置的构造。而且，本发明的超声波振动焊接装置具有气缸(4)和升降用伺服电动机(2)作为相互分离的部件，该气缸(4)连结于超声波焊接用头部(6)，执行对超声波焊接用头部(6)加压的加压动作，该升降用伺服电动机(2)执行包含使超声波焊接用头部(6)以及气缸(4)共同下降的下降动作在内的升降动作。